[发明专利]PN结样品的获取方法

权利要求书

1.一种PN结样品的获取方法，其特征在于，包括：

提供一预制备体，所述预制备体包括衬底和形成在衬底顶表面上的互连结构层，以及所述衬底中形成有至少一个PN结；

形成至少一开窗在所述互连结构层中，所述开窗暴露出所述衬底的顶表面；

将所述预制备体浸入至一蚀刻溶液中，所述蚀刻溶液通过所述开窗和所述衬底中的PN结进行反应，以显现出所述PN结的界面；以及，

对所述预制备体执行切割工艺，暴露出所述PN结的截面，以构成PN结样品。

2.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，所述开窗暴露出所述PN结中的至少一半导体区。

3.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，所述互连结构层包括介质层和形成在所述介质层中的导电插塞，所述导电插塞的底部延伸至所述衬底的顶表面；

以及，形成所述开窗的方法包括：从所述预制备体的顶表面执行研磨工艺，以暴露出所述导电插塞，并去除所述导电插塞，以在所述介质层中形成所述开窗。

4.如权利要求3所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，在去除所述导电插塞之前，所述导电插塞的底部与所述PN结中的至少一半导体区电性连接。

5.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，在显现出所述PN结的界面之后，以及执行所述切割工艺之前，还包括：

清洗所述预制备体，以去除附着在所述预制备体上的蚀刻溶液。

6.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，在显现出所述PN结的界面之后，以及执行所述切割工艺之前，还包括：

形成保护层在所述衬底上，所述保护层填充所述开窗。

7.如权利要求6所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：利用旋涂工艺涂覆所述保护层的材料在所述衬底上。

8.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，在所述预制备体的所述衬底中形成有至少两个PN结；

以及，在将所述预制备体浸入至所述蚀刻溶液中时，所述至少两个PN结同时和所述蚀刻溶液进行反应。

9.如权利要求1所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，所述预制备体中形成有至少两个结型半导体器件；

其中，在形成所述开窗时，每一所述结型半导体器件对应有至少一个所述开窗；

在将所述预制备体浸入至所述蚀刻溶液中时，所述至少两个结型半导体器件的PN结同时和所述蚀刻溶液进行反应；以及，

在执行所述切割工艺时，依次执行至少两次切割过程，以分别形成与所述至少两个结型半导体器件相对应的PN结样品。

10.如权利要求9所述的PN结样品的获取方法，其特征在于，所述至少两个结型半导体器件包括N型晶体管和P型晶体管。