[发明专利]非接触翻页识别方法、非接触翻页识别装置及存储介质有效
申请号: | 201910433740.7 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110166039B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 刘春销 | 申请(专利权)人: | 深圳市学立佳教育科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/96 | 分类号: | H03K17/96;G09B5/04 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 景志轩 |
地址: | 518114 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 翻页 识别 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种非接触翻页识别方法,其特征在于,将两张以上的导电箔片分别设置在信息装置的两张以上的信息载体上,相邻两张导电箔片分别对应地设置在相邻两张信息载体的相对应位置上并形成电容,所述非接触翻页识别方法包括如下步骤:
步骤一,接通与当前页信息载体上的导电箔片连接的开关;
步骤二,接通与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关,测量当前页的第一杂散电容总量,将第一杂散电容总量转换成第一量测值;
步骤三,断开与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关,测量当前页的第二杂散电容总量,将第二杂散电容总量转换成第二量测值;
步骤四,重复上述步骤一至三,得到每一页信息载体的第一量测值和第二量测值,将每一页的第一量测值和第二量测值相比,如果比值小于门槛值时,则识别该页没有翻开;如果比值大于门槛值时,则识别该页被翻开;
门槛值的计算公式如下:
其中,D为门槛值,Cx为接通与当前页信息载体上的导电箔片连接的开关时,电路通道中存在的杂散电容;Cxt(max)为其它导电体接近当前页信息载体上的导电箔片所增加的最大杂散电容;Cxp(off)为断开与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关时,当前页的导电箔片与下一页的导电箔片所增加的杂散电容;Cxp(on)为接通与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关时,当前页的导电箔片与下一页的导电箔片所增加的杂散电容,其单位是皮法。
2.根据权利要求1所述的非接触翻页识别方法,其特征在于,第一杂散电容总量的计算公式如下:
C1=Cx+Cxt+Cxp(on);
其中,C1为第一杂散电容总量,Cx为接通与当前页信息载体上的导电箔片连接的开关时,电路通道中存在的杂散电容;Cxt为其它导电体接近当前页的导电箔片所增加的杂散电容;Cxp(on)为接通与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关时,当前页的导电箔片与下一页的导电箔片所增加的杂散电容,其单位是皮法。
3.根据权利要求2所述的非接触翻页识别方法,其特征在于,第一量测值的计算公式如下:
Count(on)=Cs/C1;
其中,Count(on)为第一量测值,Cs为基准电容,单位是皮法;C1为第一杂散电容总量,单位是皮法。
4.根据权利要求3所述的非接触翻页识别方法,其特征在于,
第二杂散电容总量的计算公式如下:
C2=Cx+Cxt+Cxp(off);
其中,C2为第二杂散电容总量,Cx为接通与当前页信息载体上的导电箔片连接的开关时,电路通道中存在的杂散电容;Cxt为其它导电体接近当前页的导电箔片所增加的杂散电容;Cxp(off)为断开与下一页信息载体上的导电箔片连接的开关时,当前页的导电箔片与下一页的导电箔片所增加的杂散电容,其单位是皮法。
5.根据权利要求4所述的非接触翻页识别方法,其特征在于,第二量测值的计算公式如下:
Count(off)=Cs/C2;
其中,Count(off)为第二量测值,Cs为基准电容,单位是皮法;C2为第二杂散电容总量,单位是皮法。
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