[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201910421497.7 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110120395B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 刘兆松 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区域和非显示区域;
第一金属层,所述第一金属层包括多条平行间隔设置的阴极线,所述阴极线沿着X轴方向延伸;
第一绝缘层,其设置于所述第一金属层上;
第二金属层,其设置于所述第一绝缘层上,所述第一绝缘层使得所述第一金属层和所述第二金属层互相绝缘,其中,在所述非显示区域中,所述第二金属层包括VSS金属块,所述VSS金属块包括一沿着Y轴方向延伸的第一VSS金属块以及多个与所述第一VSS金属块连接且间隔设置的第二VSS金属块,每一所述第二VSS金属块在所述第一金属层上的投影位于相邻两条阴极线之间的间隙内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
第二绝缘层,其设置于所述第二金属层上;
第三金属层,其设置于所述第二绝缘层上,所述第三金属层包括相互隔离的像素电极区以及搭接金属区,所述搭接金属区位于所述第二VSS金属块上方,所述搭接金属区通过贯穿所述第二绝缘层的至少一个金属化孔与所述第二VSS金属块电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述Y轴在所述第一金属层上的投影与所述X轴垂直,所述第二VSS金属块沿着平行于所述X轴的方向延伸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二VSS金属块呈矩形条状。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,任意相邻两根阴极线之间的区域均与一所述第二VSS金属块相对。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述基板包括显示区域以及非显示区域,所述像素电极区位于所述显示区域正上方,所述搭接金属区位于所述非显示区域上方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述搭接金属区呈矩形状,且其长度方向与所述Y轴平行。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层包括还包括多条栅极金属线和多条数据信号线,所述多条栅极金属线和多条数据信号线位于所述显示区域上方,所述阴极线位于所述非显示区域上方。
9.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述至少一个金属化孔包括多个金属化孔阵列,每一所述金属化孔阵列 均分别与一所述第二VSS金属块相对,每一所述金属化孔阵列 包括多个呈矩形阵列排布的金属化孔。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的