[发明专利]一种彩膜基板及其制备方法

权利要求书

1.一种彩膜基板，其包括基板层，其特征在于，所述基板层上设置有一开关TFT和一个感应TFT,所述基板层上还设置有一电容感应电极层作为自电容传感器，其与所述感应TFT的源漏极连接，起到放大信号的功能；所述开关TFT控制所述自电容传感器的开关。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述感应TFT包括顶栅结构TFT或底栅结构TFT中的一种。

3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述开关TFT包括顶栅结构TFT或底栅结构TFT中的一种。

4.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述电容感应电极层采用的材料包括氧化铟锌或氧化铟镓锌或氧化铟锡或铝参杂的氧化锌或银纳米线中的一种。

5.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述基板层上设置有黑色矩阵层，所述感应TFT和所述开关TFT设置在所述黑色矩阵层上。

6.根据权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑色矩阵层是设置在所述电容感应电极层的一侧，两者为同层设置，均设置在所述基板层上。

7.根据权利要求6所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑色矩阵层是部分设置于所述电容感应电极层上，所述黑色矩阵层与所述电容感应电极层相接的位置处，所述黑色矩阵层向上叠置在所述电容感应电极层上，其中叠置在所述电容感应电极层上的部分所述黑色矩阵层向下覆盖部分所述电容感应电极层。

8.根据权利要求6所述的彩膜基板，其特征在于，所述电容感应电极层和所述黑色矩阵层上还设置有绝缘层，所述感应TFT和所述开关TFT设置在所述绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述绝缘层上依次设置有源漏极层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、有机层、OC层和公共电极层，用于分别构成所述感应TFT和开关TFT。

10.一种制备根据权利要求9所述彩膜基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一基板层，在所述基板层上设置一电容感应电极层，作为自电容传感器；

步骤S2：涂布黑色矩阵层，刻蚀后形成所述黑色矩阵层图案；

步骤S3：沉积绝缘层，在所述绝缘层和所述黑色矩阵层上设置第一开孔；

步骤S4：沉积源漏极层，刻蚀后形成所述源漏极层图案；

步骤S5：依次沉积有源层、栅极绝缘层和栅极层；

步骤S6：刻蚀所述栅极层形成所述栅极层图案，利用自对准工艺刻蚀所述栅极绝缘层和所述有源层形成所述栅极绝缘层图案和所述有源层图案；

步骤S7：依次涂布有机层、OC层和公共电极层。