[发明专利]一种键合结构的缺陷扫描方法及设备有效
申请号: | 201910409848.2 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110148569B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 王琼 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽;王宝筠 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 缺陷 扫描 方法 设备 | ||
1.一种键合结构的缺陷扫描方法,其特征在于,所述键合结构包括至少三个晶圆,所述至少三个晶圆被垂直键合,所述扫描方法包括:
进行键合结构的平面超声波扫描,以获得所有键合界面的气泡缺陷的平面分布信息;
对所述气泡缺陷进行剖面扫描,以获得气泡缺陷的剖面分布信息;
通过所述剖面分布信息,确定所述气泡缺陷所在的键合界面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述剖面分布信息,确定所述气泡缺陷所在的键合界面,包括:
通过所述剖面分布信息中气泡缺陷与任一晶圆的相对位置,确定所述气泡缺陷所在的键合界面。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
根据所述平面分布信息、以及所述气泡缺陷所在的键合界面,提供各键合界面的气泡缺陷的平面分布信息。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述平面分布信息为缺陷地图。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述剖面分布信息为剖面图像。
6.一种缺陷扫描设备,其特征在于,包括:
平面扫描单元,用于进行键合结构的平面超声波扫描,以获得所有键合界面的气泡缺陷的平面分布信息;
剖面扫描单元,用于对所述气泡缺陷进行剖面扫描,以获得气泡缺陷的剖面分布信息;
键合界面确定单元,用于通过所述剖面分布信息,确定所述气泡缺陷所在的键合界面。
7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于,所述键合界面确定单元中,所述通过所述剖面分布信息,确定所述气泡缺陷所在的键合界面,包括:
通过所述剖面分布信息中气泡缺陷与任一晶圆的相对位置,确定所述气泡缺陷所在的键合界面。
8.根据权利要求6所述的设备,其特征在于,还包括:
各界面缺陷提供单元,用于根据所述平面分布信息、以及所述气泡缺陷所在的键合界面,提供各键合界面的气泡缺陷的平面分布信息。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的设备,其特征在于,利用超声波扫描显微镜进行所述平面超声波扫描。
10.根据权利要求6-8中任一项所述的设备,其特征在于,利用超声波扫描显微镜进行所述剖面扫描。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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