[发明专利]一种控制擦除的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制擦除的方法和装置。所述方法包括：对目标存储单元执行擦除操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作。采用本发明的方法，跳过了软编程和软编程之后的软编程验证，缩短Nand flash存储器完成擦除操作后到可以继续执行下一个操作之间的时间，极大提高Nand flash存储器的工作效率的同时，还避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻对存储单元使用寿命的损伤。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制擦除的方法和装置。

背景技术

目前Nand flash存储器采用的擦除操作为接收擦除操作指令，执行擦除操作指令对应的擦除操作，具体过程为执行擦除验证操作，若是存储单元未通过擦除验证，则执行擦除加压操作，擦除加压操作结束后再执行擦除验证操作，如此循环，直到擦除操作成功或者达到擦除循环次数的上限。

目前Nand flash存储器执行擦除操作的过程中，因为各方面的原因，可能会导致一些存储单元被擦的比较深，这些被擦的比较深的存储单元在后续执行编程操作时会比较困难，并且擦的过深也对存储单元的使用寿命产生较大影响。因此现有技术为了收紧擦除操作完成之后存储单元的阈值电压分布，以及把被擦的比较深的存储单元的阈值电压抬高一些，通常会在执行完成擦除操作之后，再对执行过擦除操作的存储单元执行一个软编程，但因为软编程采用的电压值大小并不能根据存储单元的阈值电压，达到很精确的控制，为了抬高被擦的比较深的存储单元的阈值电压，执行软编程很有可能使得本身阈值电压就接近甚至稍微超过擦除验证电压，但依然通过擦除验证的存储单元的阈值电压超过Nandflash存储器中规定的，执行过擦除操作的存储单元的阈值电压允许达到的上限值，这样现象被称为“过编程”。

若是执行过擦除操作的存储单元，在执行软编程后出现“过编程”的情况，则Nandflash存储器就需要再次对这些存储单元执行擦除操作，这极大降低了Nand flash存储器的工作效率，并且再次执行擦除操作还可能会使得存储单元被过擦除，更加加剧了对存储单元使用寿命的损伤。

发明内容

本发明提供一种控制擦除的方法和装置，解决了执行过擦除操作的存储单元，在执行软编程后出现“过编程”情况的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制擦除的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：

对目标存储单元执行擦除操作，所述目标存储单元为所述多个存储单元中至少一个存储单元；

对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；

若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

可选地，若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，包括：

若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；

检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。