[发明专利]一种控制擦除的方法和装置

权利要求书

1.一种控制擦除的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：

对多个存储单元执行擦除操作；

对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作；

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测不大于第一数量字节的存储单元中阈值电压大于第一擦除验证的验证电压的存储单元数量的操作；

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对所述目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证所述目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为所述目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，包括：

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对不大于第一数量字节的存储单元中所有存储单元执行第二擦除验证操作；

检测阈值电压大于第二擦除验证的验证电压的目标存储单元的数量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设目标数量的取值依据为：

若有数量不小于所述预设目标数量的目标存储单元，则执行过擦除操作的多个存储单元的阈值电压分布比较集中，并且多个存储单元中没有被擦的过深的存储单元，无需执行软编程。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作之后，所述方法还包括：

若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有大于所述第一数量字节的存储单元未通过所述第一擦除验证操作，则继续对所述多个存储单元执行所述擦除操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量未达到所述预设目标数量，则对所述目标存储单元执行所述软编程操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若通过目标数量验证操作的目标存储单元的阈值电压高于所述预设上限电压，则对所述目标存储单元执行所述擦除操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述目标存储单元执行上限验证操作之后，所述方法还包括：

若所述目标存储单元的阈值电压小于所述预设上限电压，则在接收到编程操作指令后，对所述目标存储单元执行编程操作指令对应的编程操作。

8.一种控制擦除的装置，其特征在于，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述装置包括：

执行擦除模块，用于对多个存储单元执行擦除操作；

执行第一验证模块，用于对执行过所述擦除操作的多个存储单元执行第一擦除验证操作；

目标数量验证模块，用于若执行过所述擦除操作的多个存储单元中有不大于第一数量字节的存储单元未通过第一擦除验证，则对不大于第一数量字节的存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测不大于第一数量字节的存储单元中阈值电压大于第一擦除验证的验证电压的存储单元数量的操作；

上限验证模块，用于若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对所述目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证所述目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为所述目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。