[发明专利]一种控制读操作的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制读操作的方法和装置。所述方法包括：在接收到读操作指令时，执行读操作指令对应的读操作，读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作，在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度，根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。本发明的方案保证了读操作的操作电压满足存储单元阈值电压随着Nand flash存储器的工作温度发生变化所需要的操作电压，使得存储单元内的数据被正确读取，提高了Nand flash存储器读操作的可靠性。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制读操作的方法和装置。

背景技术

目前，Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，状态机用于Nand flash存储器执行各种操作时控制各种操作状态，温度传感器用于检测Nandflash存储器的工作温度。一般情况下，Nand flash存储器初始工作时，其工作温度会略高于所处的环境温度，随着Nand flash存储器的使用，尤其是各种操作的执行，Nand flash存储器的工作温度会逐渐升高，最后趋于稳定。

现有技术Nand flash存储器执行读操作的过程是：首先通过温度传感器检测出Nand flash存储器工作温度，以对应这个工作温度的存储单元阈值电压，按照相应的读操作电压，以一定的大小从存储单元中读取出数据到缓存区中，再从缓存区中将该数据通过I/O口传输出去，重复上述过程直到整个读操作结束。例如：开始读取数据时，检测Nandflash存储器工作温度为23℃，以对应23℃的存储单元阈值电压4.0V，按照相应的读操作电压4.0V，以4byte大小从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中，再从缓存区中将这4byte的数据通过I/O口传输出去，当缓存区中数据传输到Nand flash存储器外部后，又以4.0V的读操作电压，按照4byte大小从存储单元中再读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中前一个4byte的数据已经传输完成，继续传输这一个4byte的数据，如此反复形成流水线式的工作方式，直到整个读操作结束。

上述过程中，随着读操作的持续进行，Nand flash存储器的工作温度会逐渐升高，从而影响Nand flash存储器读操作正确性，会发生Nand flash存储器数据读取错误，导致Nand flash存储器读操作可靠性较低。

发明内容

本发明提供一种控制读操作的方法和装置，解决了因工作温度变化而导致的Nandflash存储器读操作发生数据读取错误的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制读操作的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，所述方法包括：

在接收到读操作指令时，执行所述读操作指令对应的读操作，所述读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样所述Nand flash存储器的当前工作温度；

根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。