[发明专利]一种控制读操作的方法和装置有效
申请号: | 201910399713.2 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN111951867B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 张晓伟;潘荣华 | 申请(专利权)人: | 兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100094 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 操作 方法 装置 | ||
1.一种控制读操作的方法,其特征在于,所述方法应用于Nand flash存储器,所述Nandflash存储器包括:状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器,所述方法包括:
在接收到读操作指令时,执行所述读操作指令对应的读操作,所述读操作包括:从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作;
在执行当前次缓存读取操作期间,通过温度传感器采样所述Nand flash存储器的当前工作温度;
根据所述当前工作温度,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述当前工作温度,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压,包括:
调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表,其中,所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大;
根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压,包括:
根据所述当前工作温度,从所述Nand flash存储器的工作温度区间中确定所述当前工作温度所属的目标工作温度区间;
从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标补偿操作电压;
根据所述目标补偿操作电压,通过所述状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值,所述目标值的取值为:
所述存储读取操作时的预设操作电压与所述目标补偿操作电压之和。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述当前工作温度,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压,包括:
确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系;
若所述当前工作温度不小于所述预设温度,则通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系后,所述方法还包括:
若所述当前工作温度小于所述预设温度,则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压,所述下一次执行存储读取操作所需的操作电压与所述当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。
6.一种控制读操作的装置,其特征在于,所述装置应用于Nand flash存储器,所述Nandflash存储器包括:状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器,所述装置包括:
接收执行模块,用于在接收到读操作指令时,执行所述读操作指令对应的读操作,所述读操作包括:从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作;
采样温度模块,用于在执行当前次缓存读取操作期间,通过温度传感器采样所述Nandflash存储器的当前工作温度;
调整执行模块,用于根据所述当前工作温度,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述调整执行模块包括:
调用关系表子模块,用于调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表,其中,所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大;
调整执行子模块,用于根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压,通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。
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