[发明专利]显示设备在审

专利信息
申请号: 201910398510.1 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110646994A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 金京镐;罗柄善;李成荣 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 姜香丹;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体图案 第一开关 开关元件 显示设备 参考线 漏电极 数据线 源电极 栅电极 栅极线 分压 横跨
【权利要求书】:

1.一种显示设备,包括:

栅极线;

半导体图案,设置在所述栅极线上;

数据线,与所述栅极线绝缘,所述数据线与所述栅极线交叉;

分压参考线,与所述栅极线绝缘,所述分压参考线与所述半导体图案交叉;

第一开关元件,与所述半导体图案重叠,所述第一开关元件包括:

第一源电极,电连接到所述数据线;

第一漏电极,与所述第一源电极间隔开;和

第一栅电极,电连接到所述栅极线;

第二开关元件,与所述半导体图案重叠,所述第二开关元件包括:

第二源电极,电连接到所述数据线;

第二漏电极,与所述第二源电极间隔开;和

第二栅电极,电连接到所述栅极线;

第三开关元件,与所述半导体图案重叠,所述第三开关元件包括:

第三源电极,电连接到所述分压参考线;

第三漏电极,电连接到所述第二源电极;和

第三栅电极,电连接到所述栅极线;

第一子像素电极,电连接到所述第一漏电极;以及

第二子像素电极,电连接到所述第二漏电极,

其中,所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极横跨所述半导体图案布置,并且在第一方向上顺序地布置在所述半导体图案上。

2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,

所述第二漏电极和所述第三漏电极一体形成,并且

所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件共用所述半导体图案。

3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,

所述第三源电极与所述第三漏电极之间的距离不同于所述第二源电极与所述第二漏电极之间的距离。

4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,

所述第三开关元件的沟道宽度等于所述第二开关元件的沟道宽度,并且

所述第三开关元件的沟道长度长于所述第二开关元件的沟道长度。

5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,

所述第三开关元件的所述沟道长度为所述第二开关元件的所述沟道长度的2.5倍至3.5倍。

6.根据权利要求1所述的显示设备,其中:

所述半导体图案具有第二方向上的均匀宽度,并且

所述第二方向垂直于所述第一方向。

7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,

所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极彼此间隔开相同的距离。

8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,

所述第一开关元件的总沟道宽度为所述第二开关元件的沟道宽度的2倍。

9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,

所述第一开关元件包括:

第一沟道,形成在所述第一源电极与所述第一漏电极之间;以及

第二沟道,形成在所述第二源电极与所述第一漏电极之间,并且

所述第一开关元件的所述总沟道宽度等于所述第一沟道的宽度与所述第二沟道的宽度之和。

10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,

在平面图中,所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的每个在第二方向上从所述半导体图案突出第一参考长度,并且在第三方向上从所述半导体图案突出第二参考长度,

所述第二方向垂直于所述第一方向,并且

所述第三方向与所述第二方向相反。

11.根据权利要求10所述的显示设备,其中,

所述第一参考长度与所述第二参考长度的总和为所述第一源电极的线宽度的1.5倍至3倍。

12.根据权利要求10所述的显示设备,其中,

所述第一参考长度与所述第二参考长度的总和为3μm至6μm。

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