[发明专利]单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器

权利要求书

1.一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法，其特征在于：包括如下步骤：

根据现有的单晶薄膜体声波谐振器建立单晶薄膜体声波谐振器仿真模型，其中，单晶薄膜体声波谐振器仿真模型从上到下依次包括上电极、单晶薄膜层、下电极、键合层及衬底；设定单晶切割方向对单晶薄膜体声波谐振器仿真模型切割，测定单晶薄膜体声波谐振器仿真模型中的切割面上的第一频率温度系数值，即第一TCF值；

在单晶薄膜体声波谐振器仿真模型中设置温度补偿层，分别建立多个在不同位置上设有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型，以及分别建立多个在同一位置，具有不同厚度的温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型；设定与单晶薄膜体声波谐振器仿真模型相同的单晶切割方向，对各个具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型进行切割，测定各个具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型在切割面上的第二频率温度系数值，即第二TCF值；

将各具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型的第二TCF值与单晶薄膜体声波谐振器仿真模型的第一TCF值对比，得到最终优化的具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型；

依据得到的具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器仿真模型制备具有温度补偿层的单晶薄膜体声波谐振器。

2.根据权利要求1所述的单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法，其特征在于：温度补偿层的材质为SiO₂。

3.根据权利要求2所述的单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法，其特征在于：温度补偿层的厚度为0.1μm到1um。

4.一种谐振器，其特征在于：基于如权利要求1-3中任一所述的单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法制得。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于：从上到下依次包括温度补偿层、上电极、单晶薄膜层、下电极、键合层及衬底。

6.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于：从上到下依次包括上电极、温度补偿层、单晶薄膜层、下电极、键合层及衬底。

7.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于：从上到下依次包括上电极、单晶薄膜层、温度补偿层、下电极、键合层及衬底。

8.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于：从上到下依次包括上电极、单晶薄膜层、下电极、温度补偿层、键合层及衬底。