[发明专利]一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，其结构从下至上依次是：玻璃作为器件的衬底；在衬底上的垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层；在垂直石墨烯上的氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层；垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。

2.按照权利要求1所述的一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，玻璃衬底为钠钙玻璃、石英玻璃或蓝宝石玻璃。

3.按照权利要求1所述的一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，垂直石墨烯是直接生长在玻璃衬底上的，即垂直石墨烯的水平缓冲层与衬底平行生长在衬底上的。

4.按照权利要求1所述的一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，氧化铟锡薄膜具有透明导电特性。

5.按照权利要求1所述的一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，氧化铟锡薄膜厚度为100nm。

6.按照权利要求1所述的一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器，其特征在于，钛/金电极中钛层与金层的厚度分别是15nm和120nm。

7.权利要求1-6任一项所述的氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在衬底上直接生长垂直石墨烯，清洗垂直石墨烯样品：依次使用丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水对垂直石墨烯样品进行清洗；

（2）制备氧化铟锡薄膜：在生长在玻璃衬底的垂直石墨烯上，使用磁控溅射技术沉积氧化铟锡薄膜，沉积温度为100℃；

（3）刻蚀氧化铟锡薄膜沟道：使用AZ5214光刻胶，采用正胶光刻工艺，显影掉曝光部分，利用光刻胶作掩膜，使用稀盐酸对其进行湿法腐蚀，腐蚀掉多余的氧化铟锡；

（4）在氧化铟锡薄膜沟道上刻蚀垂直石墨烯沟道：采用干法刻蚀的方式去除多余的垂直石墨烯，刻蚀气体为氧气；

（5）制备钛/金电极：使用AZ5214光刻胶，采用反转胶光刻工艺在所述的沟道内制备钛/金电极。