[发明专利]光电接收器及光电接收器的制作方法

说明书

本申请公开了一种光电接收器和光电接收器的制作方法，所述光电接收器包括管座、第一电子元件和第二电子元件，所述管座设有安装端面，所述安装端面设有凹槽，所述第一电子元件收容于所述凹槽内，所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一侧设有芯片焊盘，所述凹槽内设有封盖所述第一电子元件的绝缘胶，所述绝缘胶暴露所述芯片焊盘，所述第二电子元件堆叠于所述绝缘胶上，并经所述焊盘电连接所述第一电子元件。所述第二电子元件可堆叠于所述第一电子元件上，有效减小了所述光电接收器整体体积，节省了使用空间。

技术领域

本申请涉及光电通信设备领域，尤其涉及一种光电接收器及光电接收器的制作方法。

背景技术

随着通讯行业的快速发展以及人民生活水平的不断提高，人们对网络传输速率要求越来越高，因此对光器件的传输速率要求也越来越高。目前网络传输速率的光器件升级换代越来越快，光器件的生产规模也越来越大，网络光器件的生产投入成本也升高。然而，网络技术的发展需要朝高性能底成本方向。在网络技术中，光器件成本占比高，光器件的研发制造是网络技术升级需要考虑的重中之重。

而随着对光器件传输速率要求的提高，使得对产品芯片要求也越来越高，芯片内部结构越来越复杂，随着芯片电路功能的复杂以及应对高频信号的抗干扰处理，使得跨阻放大器(TIA)的尺寸不得不变得更大。

当前E/GPON和10G－PON的光器件产业链已经成熟，对于10G－PON之后的下一代PON，业界最近研究较多的是单波长25G－PON。单波长25G－PON会用到体积越来越大的跨阻信号放大器。但是体积越大的跨阻信号放大器越会占用光电接收器较多的使用空间。

在跨阻放大器的体积变得越来越大的情况下，跨阻放大器的后端应用上又希望光器件的管座的尺寸保持原样，由于管座的芯片容置空间没有扩大，跨阻信号放大器却变得更大了，导致管座空间无法放置跨阻放大器、光电探测芯片、电容、电阻等相关芯片，因此对芯片之间的排布、管座相关改进提出了更大的要求。

在目前情况中，光电接收器的管座上除了排布较大体积的跨阻信号放大器后，还需要排布与跨阻信号放大器电连接的光电转换芯片。在光电转换芯片与跨阻信号放大器并排的结构下，光电接收器的管座整体体积随着跨阻信号放大器体积增大而增大。

现有技术中提供了一种APD－TIA同轴型光电组件(公开号：CN105679746A)，一种APD－TIA同轴型光电组件，用于提高光电组件的灵敏度，包括管座，所述管座上设置有跨阻放大器、雪崩二极管以及二极管滤波电容；所述跨阻放大器的PINA输入端通过PD+线与所述雪崩二极管的正极电连接；所述跨阻放大器的输出端通过两信号线与所述管座的两输出端PIN针电连接；所述跨阻放大器的接地端通过地线与管座电连接；所述雪崩二极管的负极电连接所述二极管滤波电容的正极，所述二极管滤波电容的负极接地。跨阻放大器、雪崩二极管以及二极管滤波电容设置于所述管座的同一安装端面上，而雪崩二极管需要设置在管座的几何中心轴线处，以保持雪崩二极管与管座的同轴度精度，提高光电转换效率。在雪崩二极管设置于管座的几何中心轴线的结构下，跨阻信号放大器和二极管滤波电容只能排布在雪崩二极管的一侧。故在跨阻信号放大器的体积增大的情况下，管座不得不设置更大的安装端面，以实现对跨阻信号放大器有效承载。而在此结构下，为了尽量不增大管座的整体体积，需要将跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管排布得非常紧密。跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管在排布紧密的情况下，安装固定跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管的过程中，容易相互造成挤压损伤，而且容易安装错位，降低定位精度，导致生产制作成本升高，且产品质量下降，生产良率不高。因此，需要合理优化跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管的结构排布，以减小生产成本、提高定位精度、增加产品质量、提高生产良率。