[发明专利]一种含硒化合物及其制备方法与用途

说明书

本发明公开了一种含硒化合物及其制备方法与用途，其中该化合物具有式(Ⅰ)结构，其中，n为0、1；L₁选自以下一种或多种基团：氢、卤素、C₁‑C₆烷氧基；L₂选自以下一种或多种基团：氢、取代或未取代的C₁‑C₆烷基；L₃选自以下一种或多种基团：取代或未取代的C₁‑C₆烷基、苯C₁‑C₆烷基、取代或未取代的C₅‑C₆芳基、取代或未取代的C₅‑C₆杂芳基；L₄选自取代或未取代的苯基；L₅选自以下一种或多种基团：氢、卤素、取代或未取代的C₁‑C₆烷基；L₆选自以下一种或多种基团：氢、取代或未取代的C₁‑C₆烷基；本发明还包括了上述化合物的制备方法；本发明还包括了上述化合物的用途。本发明含硒化合物具有多样性，且有抑菌性能，制备方法解决了步骤繁琐，底物的官能团不耐受等问题。

技术领域

本发明涉及化学领域，特别是涉及一种含硒化合物及其制备方法与用途。

背景技术

吲哚啉、喹啉骨架广泛存在于具有生物活性的天然产物，药物分子或者功能性材料中。其骨架结构修饰对于结构多样性具有重要意义。官能团化多发生在N1,C2,C3位，苯环C4-C7位反应活性相对较低。吲哚啉、喹啉结构位点选择性官能团化具有重要意义。

有机硒类化合物被广泛地应用于有机合成，功能性材料，荧光探针等领域。另外，该类化合物表现出抗肿瘤，抗氧化，抗炎，抗菌，抗病毒等生物活性，C-Se键在生物活性分子中已成为一种重要的连接，在药物开发领域也具有重要意义。

近年来，过渡金属催化的选择性C-H官能团化已经成为生物活性分子合成或结构修饰的重要策略。然而，吲哚啉、喹啉苯环多以形成C-C或C-N键衍生，过渡金属催化的C-H硒化报道较少。在2015年，Wang课题组报道了Rh(III)催化的吲哚啉C7位选择性硒(硫)化反应，该方法以嘧啶基作为导向基团。随后，Ackermann课题组利用Cu(OAc)₂作为催化剂构建了吲哚啉C7位选择性硒(硫)化反应方法。然而，过渡金属催化的吲哚啉C5位选择性硒化、啉类化合物C6位选择性硒化反应方法未见文献报道。所以构建一种高效，便捷的合成5-硒化吲哚(吲哚啉)、6-硒化喹啉衍生物反应方法具有重要意义，同时为药物开发奠定基础。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种含硒化合物，如5-硒化吲哚(吲哚啉)、6-硒化喹啉衍生化合物，为药物研发，尤其是微生物抑制剂开发，提供了广阔的空间。

为解决上述技术问题，本采用的一个技术方案是：提供一种含硒化合物，或其立体异构体、溶剂化物、水合物、药学上可接受的盐、共晶，该化合物具有式(Ⅰ)结构，

其中，n为0、1；

其中，

其中，n为0或1；

其中，

L₁选自以下一种或多种基团：氢、卤素、C₁-C₆烷氧基；

所述C₁-C₆烷氧基指通过氧桥连接的具有所述C₁-C₆原子环状或者非环状烷基。

L₂选自以下一种或多种基团：氢、取代或未取代的C₁-C₆烷基；