[发明专利]溅镀装置及溅镀方法

说明书

本发明提供一种溅镀装置及溅镀方法，所述溅镀装置包括：溅镀室、粒子溅射装置、微波发生装置以及微波管。所述溅镀方法包括：基板设置步骤、溅射室抽真空步骤、溅射室充气步骤以及溅镀步骤。本发明的技术效果在于，增加微波发生装置，使得膜材粒子发生低压偏置，从而减少溅射膜材粒子的能量，减少对基板的损伤。

技术领域

本发明涉及溅射领域，特别涉及一种溅镀装置及溅镀方法。

背景技术

一般的OLED的基本结构是由铟锡氧化物(ITO)与电极正极(Anode)相连，再加上金属阴极(cathode)，包成如三明治的结构。整个结构层包括：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)，当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，形成的激子最终导致可见光的发射，而有机电致发光显示装置(OLED)电极的制作方法一般采用蒸镀装置或者溅射装置制作，当采用顶发光的器件结构就需要使用高透过率的透明氧化物(TCO)，这种膜层一般需要溅射装置来沉积。随着OLED显示屏应用的越来越广泛，溅射装置及电极的制作方法也会应用越多。

如图1所示，目前的磁控溅射装置包括溅射室100和粒子溅射装置，溅射室100包括镀膜区110和溅射区120，所述粒子溅射装置包括：靶材210、冷却装置220和强磁铁230，在高真空环境下，向溅射室100通入惰性气体如氩气，然后在阴阳两极施加电压，气体电离发生辉光放电形成等离子体，在磁场作用下轰击靶材210表面，从而溅射出靶材粒子和二次电子，而溅射出来的靶材粒子具有高能量，高能量靶材粒子撞击基板表面形成所需的金属膜层。

我们通常制作OLED阴极(Cathode)时，下面会有有机膜层，高能量的靶材粒子就会对有机膜层造成损伤，而且高能量的靶材撞击基板也会产生大量的热量，过高的温度同样会损伤有机膜层，从而影响整个OLED器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有技术中溅镀沉积OLED阴极制程中存在的高能量的靶材粒子损伤有机膜层、影响面板良率等技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种溅镀装置，包括：溅镀室，其内部为一空腔，包括镀膜区及溅射区；粒子溅射装置，设于所述溅射区内，用以向所述镀膜区内溅射膜材粒子；微波发生装置，设于所述溅射室外部；以及微波管，设于所述溅射区内，且连通至所述微波发生装置；所述微波管的管口朝向所述粒子溅射装置与所述镀膜区之间的溅射区。

进一步地，所述溅镀装置还包括基板移动装置，设于所述镀膜区内，用以在所述镀膜区内移动基板。

进一步地，所述溅镀装置还包括工艺气管，连通至所述溅射室内部的空腔。

进一步地，所述粒子溅射装置包括靶材，可转动式设于所述溅射区内。

进一步地，所述粒子溅射装置还包括：靶材转轴，所述靶材被固定至所述靶材转轴的外部；转轴空腔，设于所述靶材转轴的内部；冷却装置，设于所述转轴空腔内；以及强磁铁，设于所述转轴空腔内。

进一步地，所述粒子溅射装置为阴极装置；所述膜材粒子为TCO阴极粒子。

进一步地，所述微波发生装置包括：微波发射装置；微波传导装置，其一端连通至所述微波发射装置，其另一端连通至所述微波管；以及微波调节装置，设于所述微波传导装置侧壁。

为实现上述目的，本发明还提供一种溅镀方法，包括如下步骤：基板设置步骤，将一基板传送至溅射室的镀膜区，在所述基板表面覆盖掩膜版；溅射室抽真空步骤，对所述溅射室的空腔进行抽真空处理；溅射室充气步骤，将惰性气体通过工艺气管通入所述溅射室内；以及溅镀步骤，启动粒子溅射装置及微波发生装置，在所述基板的一表面溅镀沉积出一膜层。

进一步地，在所述基板设置步骤之前包括：阳极层制备步骤，在一基板的上表面制备出一阳极层，所述阳极层为金属或透明金属氧化物；以及有机层制备步骤，在所述阳极层的上表面制备出一有机层。