[发明专利]溅镀装置及溅镀方法

权利要求书

1.一种溅镀装置，其特征在于，包括：

溅镀室，其内部为一空腔，包括镀膜区及溅射区；

粒子溅射装置，设于所述溅射区内，用以向所述镀膜区内溅射膜材粒子；

微波发生装置，设于所述溅射室外部；以及

微波管，设于所述溅射区内，且连通至所述微波发生装置；所述微波管的管

口朝向所述粒子溅射装置与所述镀膜区之间的溅射区。

2.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于，还包括

基板移动装置，设于所述镀膜区内，用以在所述镀膜区内移动基板。

3.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于，还包括

工艺气管，连通至所述溅射室内部的空腔。

4.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于，所述粒子溅射装置包括

靶材，可转动式设于所述溅射区内。

5.如权利要求4所述的溅镀装置，其特征在于，所述粒子溅射装置还包括

靶材转轴，所述靶材被固定至所述靶材转轴的外部；

转轴空腔，设于所述靶材转轴的内部；

冷却装置，设于所述转轴空腔内；以及

强磁铁，设于所述转轴空腔内。

6.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于，

所述粒子溅射装置为阴极装置；

所述膜材粒子为TCO阴极粒子。

7.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于，所述微波发生装置包括

微波发射装置；

微波传导装置，其一端连通至所述微波发射装置，其另一端连通至所述微波管；以及

微波调节装置，设于所述微波传导装置侧壁。

8.一种溅镀方法，其特征在于，包括如下步骤：

基板设置步骤，将一基板传送至溅射室的镀膜区，在所述基板表面覆盖掩膜版；

溅射室抽真空步骤，对所述溅射室的空腔进行抽真空处理；

溅射室充气步骤，将惰性气体通过工艺气管通入所述溅射室内；以及

溅镀步骤，启动粒子溅射装置及微波发生装置，在所述基板的一表面溅镀沉积出一膜层。

9.如权利要求8所述的溅镀方法，其特征在于，

在所述基板设置步骤之前包括：

阳极层制备步骤，在一基板的上表面制备出一阳极层，所述阳极层为金属或透明金属氧化物；以及

有机层制备步骤，在所述阳极层的上表面制备出一有机层。

10.如权利要求9所述的溅镀方法，其特征在于，

所述基板设置步骤中，

所述基板蒸镀有有机层的一侧面与所述粒子溅射装置相对设置。

11.如权利要求8所述的溅镀方法，其特征在于，

所述溅镀步骤中，

所述基板在所述镀膜区内被平移；

在磁场的作用下，所述粒子溅射装置的靶材表面产生膜材粒子；

在微波和磁场的共同作用下，

所述膜材粒子被溅射至所述基板，在所述基板表面沉积出一膜层。

12.如权利要求11所述的溅镀方法，其特征在于，

所述溅镀步骤中，

所述粒子溅射装置为阴极装置；

所述膜材粒子为TCO阴极粒子；以及

所述膜层为阴极层。