[发明专利]一种NOR flash存储器读数据的方法和装置

说明书

本发明提供了一种NOR flash存储器读数据的方法和装置。所述方法包括：接收暂停编程指令，暂时停止编程操作，根据接收的擦除操作指令执行擦除操作，接收暂停擦除指令，暂时停止擦除操作，在编程操作和擦除操作同时暂时停止期间，接收到读操作指令，若所需执行读操作的存储单元的地址未处于编程操作对应的存储单元的地址范围加擦除操作对应的存储单元的地址范围内，对所需执行读操作的存储单元执行读操作。本发明实现了NOR flash存储器支持在编程操作的过程中暂时停止编程操作去进行擦除操作，并在擦除操作过程中暂时停止擦除操作去进行读操作，丰富了NOR flash存储器的功能，提高了NOR flash存储器使用的灵活性，有利于NOR flash存储器的技术发展和推广，提升了用户使用感。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种NOR flash存储器读数据的方法和装置。

背景技术

目前NOR flash存储器的应用的领域越来越广泛，NOR flash存储器的特点是芯片内执行，这样应用程序可以直接在NOR flash存储器内运行，不必再把代码读到系统RAM中，NOR flash存储器的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益。

目前针对NOR flash存储器，一些简单的应用例如编程、擦除、读取已经不能满足NOR flash存储器技术发展的需求，需要为NOR flash存储器提供更多的更复杂的应用，以使得NOR flash存储器可以运用到更广的范围。

目前NOR flash存储器支持在编程操作的过程中暂时停止编程操作，去进行读取操作，方法是在编程操作进行的过程中，发送编程暂停指令，之后再发送读操作指令，就可以实现在编程操作的过程中进行读操作的功能。但目前NOR flash存储器对一些更复杂的操作并不支持，这限制了NOR flash存储器的功能，不利于NOR flash存储器的技术发展和推广，用户的使用感也不好。

发明内容

本发明提供的一种NOR flash存储器读数据的方法和装置，解决了目前NOR flash存储器对一些更复杂的操作并不支持的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种NOR flash存储器读数据的方法，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：存储单元和控制单元，所述方法包括：

接收暂停编程指令；

根据所述暂停编程指令，暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录所述编程操作对应的存储单元的地址；

在所述编程操作的进程暂时停止期间，根据接收到的擦除操作指令，执行擦除操作；

在执行所述擦除操作的过程中，若接收到暂停擦除指令，则根据所述暂停擦除指令，暂时停止擦除操作的进程，并通过所述控制单元记录所述擦除操作对应的存储单元的地址；

在所述编程操作和所述擦除操作的进程同时暂时停止期间，若接收到读操作指令，判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，同时判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，其中，所述读操作指令包括：所需执行读操作的存储单元的地址；

若所述所需执行读操作的存储单元的地址未处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，且未处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，则对所述所需执行读操作的存储单元执行所述读操作。

可选地，暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录所述编程操作对应的存储单元的地址，包括：

暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录编程现场，所述编程现场为暂停所述NOR flash存储器编程操作时编程进行的状态，所述编程现场包括：

编程操作对应的存储单元的地址、待编程的数据以及编程循环次数。