[发明专利]一种NOR flash存储器读数据的方法和装置

权利要求书

1.一种NOR flash存储器读数据的方法，其特征在于，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：存储单元和控制单元，所述方法包括：

接收暂停编程指令；

根据所述暂停编程指令，暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录所述编程操作对应的存储单元的地址；

在所述编程操作的进程暂时停止期间，根据接收到的擦除操作指令，执行擦除操作；

在执行所述擦除操作的过程中，若接收到暂停擦除指令，则根据所述暂停擦除指令，暂时停止擦除操作的进程，并通过所述控制单元记录所述擦除操作对应的存储单元的地址；

在所述编程操作和所述擦除操作的进程同时暂时停止期间，若接收到读操作指令，判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，同时判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，其中，所述读操作指令包括：所需执行读操作的存储单元的地址；

若所述所需执行读操作的存储单元的地址未处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，且未处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，则对所述所需执行读操作的存储单元执行所述读操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录所述编程操作对应的存储单元的地址，包括：

暂时停止编程操作的进程，并通过所述控制单元记录编程现场，所述编程现场为暂停所述NOR flash存储器编程操作时编程进行的状态，所述编程现场包括：

编程操作对应的存储单元的地址、待编程的数据以及编程循环次数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，暂时停止擦除操作的进程，并通过所述控制单元记录所述擦除操作对应的存储单元的地址，包括：

暂时停止擦除操作的进程，并通过所述控制单元记录擦除现场，所述擦除现场为暂停所述NOR flash存储器擦除操作时擦除进行的状态，所述擦除现场包括：

擦除操作对应的存储单元的地址和擦除循环次数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，同时判断所需执行读操作的存储单元的地址是否处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内之后，所述方法还包括：

若所述所需执行读操作的存储单元的地址处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，或处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，则对所述所需执行读操作的存储单元执行所述读操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述所需执行读操作的存储单元的地址处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，或处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，在对所述所需执行读操作的存储单元执行所述读操作后，所述方法还包括：

若接收到恢复擦除指令，所述恢复擦除指令为针对所述暂停擦除指令恢复所述擦除操作的指令；

根据所述恢复擦除指令和擦除现场，恢复所述擦除操作指令对应的擦除操作，所述擦除现场为暂停所述NOR flash存储器擦除操作时擦除进行的状态。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述所需执行读操作的存储单元的地址处于所述编程操作对应的存储单元的地址范围内，或处于所述擦除操作对应的存储单元的地址范围内，在对所述所需执行读操作的存储单元执行所述读操作后，所述方法还包括：

若未接收到恢复擦除指令，则继续执行所述暂停擦除指令，等待下一操作指令，所述恢复擦除指令为针对所述暂停擦除指令恢复所述擦除操作的指令。