[发明专利]一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置在审
申请号: | 201910356956.8 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN111863081A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 刘言言;许梦;付永庆 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 nor flash 存储器 编程 验证 方法 装置 | ||
1.一种控制NOR flash存储器编程验证的方法,其特征在于,所述NOR flash存储器包括:数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元,所述编程验证单元与所述数据锁存器、所述地址锁存器以及所述存储单元分别连接,所述方法包括:
所述NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据;
所述NOR flash存储器将所述待编程数据输入到所述数据锁存器,所述待编程数据占用所述数据锁存器的多个地址;
所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述数据锁存器中所述多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作,并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到所述地址锁存器中;
所述NOR flash存储器从所述地址锁存器中读取锁存的所述验证未通过的待编程数据对应的地址,以确定对应的验证未通过的待编程数据;
所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述验证未通过的待编程数据执行第二次所述编程验证操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述验证未通过的的待编程数据执行第二次所述编程验证操作之后,所述方法还包括:
若第二次所述编程验证操作验证通过,则所述NOR flash存储器清除所述地址锁存器中第二次所述编程验证操作验证通过的待编程数据对应的地址;
若第二次所述编程验证操作验证未通过,则所述NOR flash存储器控制所述地址锁存器继续锁存第二次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据对应的地址。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,若第二次所述编程验证操作验证未通过,则所述NOR flash存储器控制所述地址锁存器继续锁存第二次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据对应的地址之后,所述方法还包括:
所述NOR flash存储器对第二次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据执行编程加压操作。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述NOR flash存储器对第二次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据执行编程加压操作之后,所述方法还包括:
所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对执行过所述编程加压操作的,第二次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据执行第三次所述编程验证操作;
若第三次所述编程验证操作验证通过,则所述NOR flash存储器结束所述编程操作指令对应的编程操作;
若第三次所述编程验证操作验证未通过,则所述NOR flash存储器继续将第三次所述编程验证操作验证未通过的待编程数据对应的地址存到所述地址锁存器中。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述数据锁存器中所述多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作之后,所述方法还包括:
若所述多个地址中每个地址对应的待编程数据都验证通过,则所述NOR flash存储器直接结束所述编程操作指令对应的编程操作。
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