[发明专利]一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜及加工工艺

权利要求书

1.一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜，其特征在于：配方包括：石英玻璃基片、金属铟、碳酸铵、硫酸锡、硝酸、氯化锡、酒精、氨水、催化剂、添加剂，各组分的质量百分含量分别是：15-25%的石英玻璃基片、20-30%的金属铟、15-25%的碳酸铵、10-20%的硫酸锡、2-4%的硝酸、10-20%的氯化锡、1-3%的酒精、5-10%的氨水、0.5-1%的催化剂和0.5-1%的添加剂。

2.一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜的加工工艺，包括以下步骤，步骤一，原料选取；步骤二，溶液混合；步骤三，共沉淀加工；步骤四，处理筛分；步骤五，提拉镀层；步骤六，高热处理；步骤七，包装存储；其特征在于：

其中上述步骤一中，按照各组分的质量百分含量分别是：15-25%的石英玻璃基片、20-30%的金属铟、15-25%的碳酸铵、10-20%的硫酸锡、2-4%的硝酸、10-20%的氯化锡、1-3%的酒精、5-10%的氨水、0.5-1%的催化剂和0.5-1%的添加剂进行选取，并按照重量百分比之和为1进行称取；

其中上述步骤二中，溶液混合包括以下步骤：

1）将反应釜进行清洗后加入硝酸，保持常温；

2）将金属铟投入到反应釜中，边投入边搅拌均匀；

3）保持料温，加入添加剂，调整pH值至中性，持续搅拌反应1-2h；

其中上述步骤三中，将上述步骤二中所得混合物加入氯化锡，混合搅拌后滴加氨水，高温反应，终点pH为8，停止滴加氨水，搅拌2-3h，进行共沉淀；

其中上述步骤四中，处理筛分包括以下步骤：

1）将反应釜加热至30-50℃，兑入酒精，加入步骤三中混合物；

2）再向反应釜中加入硫酸锡与碳酸铵，加入催化剂，强烈搅拌，得到ITO复合粉颗粒；

3）将ITO复合粉颗粒洗涤、烘干，然后进行筛分，得到超细的ITO复合粉颗粒粉末；

4）将ITO复合粉颗粒超细粉末溶与酒精，在使用超声仪器混合，得到溶胶；

其中上述步骤五中，将石英玻璃基片放在坩埚中加热熔化，专业人士使用仪器在熔体表面接籽晶提拉溶体，直至溶体成型；

其中上述步骤六中，将上述步骤五中所得混合物进行400-500℃的热处理除去有机成分，然后放置在200℃以下，使用凝胶法将步骤四中溶胶镀在步骤五所得的混合物表面，得到电容屏贴膜；

其中上述步骤七中，将上述步骤六中所得电容屏贴膜放在剪裁机中，剪裁至合适大小，捆扎包装，放置在阴凉处存放。

3.根据权利要求1所述的一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜，其特征在于：所述组分的质量百分含量分别是：石英玻璃基片16%、金属铟25%、碳酸铵20%、硫酸锡10%、硝酸4%、氯化锡10%、酒精3%、氨水10%、催化剂1%和添加剂1%。

4.根据权利要求2所述的一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜的加工工艺，其特征在于：所述反应釜搅拌时使用机械搅拌，并通入惰性气体排空反应釜内部空气。

5.根据权利要求2所述的一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜的加工工艺，其特征在于：所述步骤二3）使用的添加剂为硝酸钾。

6.根据权利要求2所述的一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜的加工工艺，其特征在于：所述步骤三中高温反应的反应温度为70℃。

7.根据权利要求2所述的一种对电容屏灵敏度干扰度低的贴膜的加工工艺，其特征在于：所述步骤四2）中使用的催化剂为无机催化剂。