[发明专利]一种有机光电材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种有机光电材料，其特征在于，所述有机光电材料具有如式I所示结构：

其中，R₁-R₉各自独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、磺酸基、羧基、羰基、醛基、酰基、叔胺正离子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、炔基或异氰基中的一种。

2.根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，所述卤素为F、Cl、Br或I；

优选地，所述取代或未取代的烷基为取代或未取代的C1～C10直链烷基或支链烷基；

优选地，所述取代或未取代的环烷基为取代或未取代的C3～C30环烷基；

优选地，所述取代或未取代的芳基为取代或未取代的C6～C30芳基；

优选地，所述取代或未取代的杂芳基为取代或未取代的C3～C30杂芳基；

优选地，所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基、取代的环烷基、取代的烯基中的取代基为F、Cl、Br、I、氰基、三氟甲基、磺酸基、硝基、羧基、羰基、醛基、叔胺正离子、烷氧基或芳氧基；

优选地，所述R₁-R₉各自独立地选自氟取代的苯基、氯取代的苯基、三氟甲基取代的苯基、氰基取代的苯基、苯基、三氟甲基、三氯甲基、甲基、乙基、氟取代的乙基、氯取代的乙基、氰基取代的乙基、环己基、氟取代的环己基、氰基取代的环己基、叔丁基、氟取代的叔丁基、氰基取代的叔丁基、二氰基取代的乙烯基、氰基取代的烷氧基、氰基取代的芳氧基、氟取代的烷氧基或氟取代的芳氧基中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的有机光电材料，其特征在于，所述有机光电材料为如下化合物1～12中的任意一种或至少两种的组合：

4.一种如权利要求1～3任一项所述的有机光电材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：式II所示化合物与丙二腈在羧酸和羧酸酐混合物的存在下发生反应，得到式I所示有机光电材料，反应式如下：

其中，R₁-R₉各自独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、磺酸基、羧基、羰基、醛基、酰基、叔胺正离子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、炔基或异氰基中的一种。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述式II所示化合物与丙二腈的摩尔比为1:(2～2.6)，优选为1:2.27；

优选地，所述羧酸和羧酸酐混合物为乙酸和乙酸酐混合物；

优选地，所述乙酸和乙酸酐的质量比为(1.8～2.5):1，进一步优选为2:1。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为100～150℃，优选为120℃；

优选地，所述反应的时间为12～36小时，进一步优选为24小时。

7.一种OLED器件用空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层包括主体材料和客体材料，所述客体材料为如权利要求1～3任一项所述的有机光电材料。

8.根据权利要求7所述的OLED器件用空穴注入层，其特征在于，所述主体材料为芳胺类化合物；

优选地，所述空穴注入层中主体材料与客体材料的摩尔比为(25～38):1，进一步优选为33.3:1；

优选地，所述空穴注入层的厚度为30～70nm，进一步优选为50nm。

9.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件至少包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层为如权利要求7或8所述的OLED器件用空穴注入层。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的OLED器件。