[发明专利]带透明导电膜基板及其制造设备和方法以及太阳能电池

说明书

本发明公开带透明导电膜基板及其制造设备和方法以及太阳能电池。该带透明导电膜基板具备对载置于托盘的状态下的基体进行热处理的第三调温装置、以及对基体的正面侧及背面侧分别形成第一透明导电膜及第二透明导电膜的第一成膜装置及第二成膜装置。在成膜室内的第一靶附近，第一工艺气体导入机构的气体导出部在基体的移动方向上配设在朝向第一靶中的位于左侧的靶喷射第一工艺气体的位置上。在成膜室内的第二靶附近，配设有第二工艺气体导入机构的气体导出部。第一靶和第二靶配置在成膜室内，从而在基体经过第一靶的前面时通过溅射法对基体的正面侧形成第一透明导电膜，在基体经过第二靶的前面时通过溅射法对基体的背面侧形成第二透明导电膜。

技术领域

本发明涉及一种通过在基体的正面侧和背面侧配置氢含量不同的透明导电膜而成的带透明导电膜基板的制造设备、带透明导电膜基板的制造方法、带透明导电膜基板及太阳能电池。

背景技术

近年来，由于具有结晶硅与非晶硅(a-Si)的异质结的太阳能电池(异质结型结晶Si太阳能电池)与以往的结晶系硅太阳能电池相比具有高转换效率，因此受到瞩目。对于异质结型结晶Si太阳能电池来说，通常在配设于结晶硅的两面的非晶硅上形成有透明导电氧化物(TCO，Transparent Conducting Oxide)。在此，TCO为透明而通电的材料，例如可列举氧化铟、氧化锡或氧化锌等。

配设在太阳能电池的受光面侧的TCO尤其被要求同时满足低电阻和高透射率。作为解决该问题的一个方案，已知有将含氢透明导电膜设置于受光面侧的太阳能电池(专利文献1)。

然而，从太阳能电池设备的观点来看，具有如下的问题：由于构成TCO的基底的非晶硅(a-Si)与含氢气的等离子体接触而发生H₂O，并且由于H₂O再次附着在非晶硅(a-Si)上，在非晶硅(a-Si)和堆积在该非晶硅(a-Si)上的TCO之间的界面上产生绝缘层。由于这种绝缘层的存在是阻碍层压方向上的电气流动的主要因素，因此亟需开发该问题的解决方案。

专利文献1：专利国际申请公开第2013/061637号

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供一种通过在基体的正面侧和背面侧配设氢含量不同的透明导电膜而成的带透明导电膜基板的制造设备、带透明导电膜基板的制造方法、带透明导电膜基板及太阳能电池。

本发明的第一方式的带透明导电膜基板的制造设备包括具备第三调温装置和第一成膜装置及第二成膜装置的成膜室，所述第三调温装置对载置于托盘的状态下的基体进行热处理，所述第一成膜装置及所述第二成膜装置对所述基体的正面侧及背面侧分别形成第一透明导电膜及第二透明导电膜，在所述成膜室内的、构造所述第一成膜装置且对所述基体的正面侧形成第一透明导电膜的第一靶附近，用于供给含氢的第一工艺气体的第一工艺气体导入机构的气体导出部在所述基体的移动方向上配设在对所述第一靶中的位于左侧(上手側)的靶喷射所述第一工艺气体的位置上，在所述成膜室内的、构造所述第二成膜装置且对所述基体的背面侧形成第二透明导电膜的第二靶附近，配设有供给不含氢的第二工艺气体的第二工艺气体导入机构的气体导出部，所述第一靶和所述第二靶配置在所述成膜室内，从而在所述基体经过所述第一靶的前面时，通过溅射法对该基体的正面侧形成所述第一透明导电膜，并且在所述基体经过所述第二靶的前面时，通过溅射法对该基体的背面侧形成所述第二透明导电膜。

在本发明的第一方式的带透明导电膜基板的制造设备中，也可以在所述成膜室中，以连通位于所述第一靶与所述第二靶之间的内部空间的方式，配置有一个以上的具备吸气口的排气装置。