[发明专利]一种发光器件及其制作方法、和显示面板在审
| 申请号: | 201910321801.0 | 申请日: | 2019-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN110120406A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基色 光子 像素 像素单元 发光器件 显示面板 边缘锯齿 间隔设置 像素组合 阵列排布 子像素 分辨率 彩边 相等 制作 申请 | ||
本申请涉及一种发光器件及其制作方法、和显示面板,该发光器件包括呈阵列排布的多个像素单元,像素单元包括间隔设置的第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素,在每一像素单元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素组合后呈圆形,且第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的面积不完全相等。通过这种方式,能够避免由于不同像素单元之间共用子像素而造成分辨率偏低、彩边和边缘锯齿化的问题。
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种发光器件及其制作方法、和显示面板。
【背景技术】
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)全彩化方法中,红(R)、绿(G)、蓝(B)三基色像素并置(side-by-side Pixelation)是发展最成熟的技术。在此基础上,为了解决红绿蓝有机发光材料的寿命与效率存在差异的问题,一般采用pentile型子像素排列方式,也即对应不同的子像素设置不同的开口率,通常蓝色子像素和红色子像素拥有最大的开口率,以弥补其寿命和效率的短板。
但是,在实际显示图像时,pentile排列的一个像素点会“借”用与其相邻的像素点的另一种颜色来构成三基色,以共同实现白色显示,这会导致分辨率偏低、彩边以及边缘锯齿化的问题。
【发明内容】
本申请的目的在于提供一种发光器件及其制作方法、和显示面板,以避免由于不同像素单元之间共用子像素而造成分辨率偏低、彩边和边缘锯齿化的问题。
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种发光器件,该发光器件包括:呈阵列排布的多个像素单元,像素单元包括间隔设置的第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素,在每一像素单元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素组合后呈圆形,且第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的面积不完全相等。
其中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的形状均为扇形。
其中,第一基色光子像素为红光子像素,第二基色光子像素为绿光子像素,第三基色光子像素为蓝光子像素,蓝光子像素的面积大于红光子像素的面积,红光子像素的面积大于绿光子像素的面积。
其中,像素单元还包括至少一个补偿光子像素,在每一像素单元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素构成一个基色光子像素组,补偿光子像素位于基色光子像素组的周边区域。
其中,像素单元还包括至少两个补偿光子像素,至少两个补偿光子像素均匀分布于基色光子像素组的周边区域。
其中,补偿光子像素的形状为菱形、圆形、椭圆形、正方形、矩形或多边形。
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种发光器件的制作方法,该发光器件的制作方法包括:提供基板,基板包括呈阵列排布的多个像素区域,像素区域包括间隔设置的第一基色光子像素区域、第二基色光子像素区域和第三基色光子像素区域,在每一像素区域中,第一基色光子像素区域、第二基色光子像素区域和第三基色光子像素区域组合后呈圆形,且第一基色光子像素区域、第二基色光子像素区域和第三基色光子像素区域的面积不完全相等;在像素区域上形成像素单元,像素单元包括位于第一基色光子像素区域上的第一基色光子像素、位于第二基色光子像素区域上的第二基色光子像素、以及位于第三基色光子像素区域上的第三基色光子像素。
其中,在像素区域上形成像素单元的步骤,具体包括:在第一基色光子像素区域上形成第一基色光子像素;在第二基色光子像素区域上形成第二基色光子像素;在第三基色光子像素区域上形成第三基色光子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





