[发明专利]遮罩及其制造方法和使用方法

说明书

一种遮罩及其制造方法和使用方法。遮罩的使用方法方法包括将遮罩夹持在遮罩台上，其中遮罩包括多层磁膜；通过使用遮罩来执行第一微影制程；使遮罩移动远离遮罩台；以及确认多层薄膜的表面层的表面状况是否可接受；以及当表面层的表面状况被确认为不可接受时自多层磁膜剥离多层磁膜的表面层。

技术领域

本揭露是关于一种遮罩及其制造方法和使用方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业已经历指数增长。IC材料及设计中的技术进步已产生了几代IC，其中每代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC进化中，功能密度(亦即，每晶片面积的互连元件的数目)通常已增加，而几何尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此按比例缩小制程通常通过增大生产效率及降低相关联的成本来提供益处。此按比例缩小亦增加了IC处理及制造的复杂性。为了实现这些进步，需要IC处理及制造中的类似发展。举例而言，对执行较高解析度的微影制程的需要增长了。一种微影技术为极紫外线微影(EUVL)。其他技术包括X-Ray微影术、离子束投影微影术、电子束投影微影术，及多电子束无遮罩微影术。

EUVL采用使用具有约1至100nm波长的极紫外线(EUV)区域的光的扫描器。一些EUV扫描器提供4倍缩小投影列印，类似于一些光学扫描器，除了EUV扫描器使用反射光学元件而非折射光学元件，亦即，镜子代替了透镜。EUV扫描器通过转移由吸收层限定的遮罩图案提供晶圆上的所需图案。目前，在EUVL中采用伴随轴上照明(ONI)的二元强度遮罩(BIM)。为了实现未来节点(例如，具有32nm及22nm的最小间距的节点等)的充足的空间图像对比度，已开发了例如衰减相移式遮罩(AttPSM)及交变相移式遮罩(AltPSM)的若干技术，以获得EUVL的解析度增强。但每一技术具有其需要克服的局限性。举例而言，然而吸收层可能不会完全吸收入射光且入射光的部分自吸收层反射。吸收层的厚度亦导致阴影效应。所有这些情况时常导致降低的空间图像对比度，此可导致差的图案轮廓及差的解析度，尤其是当图案特征的大小继续减小时。需要在此领域中进行改良。

发明内容

在本揭示案的一些实施例中，一种方法包括将遮罩夹持在遮罩台上，其中遮罩包括多层磁膜；通过遮罩来执行第一微影制程；将遮罩自遮罩台移开；以及确认多层薄膜的表面层的表面状况是否可接受；以及当表面层的表面状况被确认为不可接受时自多层磁膜剥离多层磁膜的表面层。

在本揭示案的一些实施例中，一种方法包括将第一磁层附接至基板上；将第二磁层附接至第一磁层上；在基板上形成反射性多层；在反射性多层上形成吸收层；以及图案化吸收层。

在本揭示案的一些实施例中，一种遮罩包括基板、多层磁膜、反射性多层，及经图案化的吸收层。多层磁膜安置于基板上，其中多层磁膜包括多个磁层。基板在多层磁膜与反射性多层之间。反射性多层在经图案化的吸收层与基板之间。

附图说明

当结合附图进行阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。应注意，根据工业上的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1至图9为根据本揭露的一些实施例的处于各种阶段的用于制造遮罩的方法的横截面图；

图10为根据本揭露的一些实施例的用于操作遮罩的方法；

图11至图16为根据本揭露的一些实施例的处于操作的各种阶段的遮罩。

具体实施方式