[发明专利]一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法在审
| 申请号： | 201910318851.3 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110204343A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李俊国;罗杰;张睿成;陈杨;沈强;李美娟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅陶瓷 低温制备 抗弯 制备 氮化硅陶瓷材料 等离子活化烧结 致密 导热陶瓷基板 化工领域 烧结助剂 原料价格 烧结 低熔点 冶金 应用 | ||
1.一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将氮化硅粉体和Mg2Si粉体球磨分散混合均匀，得到混合粉体，其中：以质量分数计，称取氮化硅粉体92～98％，Mg2Si粉体2～8％；
(2)在氮气气氛保护下，将混合粉体在等离子活化烧结炉中进行烧结，降温得到高强度的氮化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：所述步骤(1)的球磨分散为：采用无水乙醇作为分散介质。
3.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：所述的氮化硅粉体中α-Si3N4成分大于90wt.％。
4.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：步骤(1)球磨混合后料浆干燥、过筛得到混合粉体。
5.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：所述步骤(2)的烧结温度为1400～1500℃。
6.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：所述步骤(2)的等离子活化烧结方法为：
(2-1)将混合粉体装入石墨模具；
(2-2)将温度升高到1400～1500℃，整个烧结过程中通入氮气进行保护。
(2-3)随炉冷却降温至室温后取出样品，即可获得高强度的氮化硅陶瓷。
7.根据权利要求1所述的高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：所制备的高强度氮化硅陶瓷相对密度大于97％，抗弯强度为644～1056MPa。
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