[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置有效
| 申请号： | 201910311630.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110424051B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 保坂祥辉;藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 遮蔽 构件 生长 装置 | ||
1.一种遮蔽构件，配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，
所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，
所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，
所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，
所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，其特征在于，
所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，
在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。
2.根据权利要求1所述的遮蔽构件，
具备连接部和支持部，
所述连接部连接所述多个遮蔽板，所述支持部支持所述连接部。
3.根据权利要求2所述的遮蔽构件，
所述连接部位于俯视中央。
4.根据权利要求1所述的遮蔽构件，
所述多个遮蔽板之中相邻遮蔽板的相邻面相对于从所述晶体设置部下垂到所述原料收纳部的垂线方向倾斜，
位于所述相邻遮蔽板之间的间隙相对于所述垂线方向倾斜。
5.根据权利要求1所述的遮蔽构件，
所述多个遮蔽板之中相邻遮蔽板的相邻面弯折或弯曲，
位于所述相邻遮蔽板之间的间隙弯折或弯曲。
6.根据权利要求1所述的遮蔽构件，
所述多个遮蔽板的所述晶体设置部侧的面位于同一平面。
7.一种单晶生长装置，具备权利要求1所述的遮蔽构件。
8.根据权利要求7所述的单晶生长装置，
具备晶体生长用容器和加热部，
所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，
所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，
所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶。
9.根据权利要求7所述的单晶生长装置，
具备连接部和支持部，
所述连接部连接所述多个遮蔽板，所述支持部支持所述连接部。
10.根据权利要求9所述的单晶生长装置，
所述连接部位于俯视中央。
11.根据权利要求7所述的单晶生长装置，
所述多个遮蔽板之中相邻遮蔽板的相邻面相对于从所述晶体设置部下垂到所述原料收纳部的垂线方向倾斜，
位于所述相邻遮蔽板之间的间隙相对于所述垂线方向倾斜。
12.根据权利要求7所述的单晶生长装置，
所述多个遮蔽板之中相邻遮蔽板的相邻面弯折或弯曲，
位于所述相邻遮蔽板之间的间隙弯折或弯曲。
13.根据权利要求7所述的单晶生长装置，
所述多个遮蔽板的所述晶体设置部侧的面位于同一平面。
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