[发明专利]一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备

权利要求书

1.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，包括：

调取绝缘双极型晶体管芯片模型；

在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；

对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。

2.如权利要求1所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，所述对所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟包括：

获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；

并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。

3.如权利要求2所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，还包括：

建立电力电子装置模型；其中，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型；

对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。

4.如权利要求3所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，还包括：

建立外部仿真电路；

所述对所述电力电子装置模型进行仿真模拟包括：

将所述电力电子装置模型至于所述外部仿真电路中并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。

5.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，包括：

调取模块，用于调取绝缘双极型晶体管芯片模型；

增设模块，用于在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；

仿真模块，用于对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并用于通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。

6.如权利要求5所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述模拟绝缘双极型晶体管芯片模型为三维模型。

7.如权利要求6所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述仿真模块包括：

获取单元，用于获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；

并行单元，用于并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。

8.如权利要求7所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述仿真模块还包括：

电力电子单元，用于建立电力电子装置模型，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型，并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。

9.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4任一项所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。