[发明专利]一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法

权利要求书

1.一种定向生长KDP类晶体的方法，其特征在于，晶体生长溶液和点籽晶放入载晶架中，在载晶架中定向生长，得到KDP类晶体；

其中，所述KDP类晶体包括KDP晶体、DKDP晶体中的任一种；

所述将晶体生长溶液和点籽晶放入载晶架后，点籽晶微融，降温处理，使得点籽晶在不同方向上依次发生定向生长，得到KDP类晶体；

所述降温处理，使得点籽晶在不同方向上依次发生定向生长至少包括步骤：

将晶体生长溶液降温至饱和点以下5～10℃，使点籽晶横向定向生长；之后将晶体生长溶液降温至饱和点以下10～20℃，使点籽晶纵向定向生长，得到所述KDP类晶体；

所述载晶架包括下底板和侧板；

所述侧板的一端固定在所述下底板的上表面，所述侧板围合成用于使点籽晶发生定向生长的空腔；

所述下底板的上表面开设有用于放置点籽晶的盲孔，所述盲孔与所述空腔连通；

还包括上底板，所述上底板与所述下底板之间沿周向固定有支撑部件，所述支撑部件位于所述侧板的外侧，所述侧板沿轴向的高度小于所述支撑部件沿轴向的高度，以使所述晶体生长溶液从所述上底板与所述侧板之间的空隙进入所述侧板围合的所述空腔中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑部件包括多个等间距沿周向排列的支撑片；所述支撑片沿轴向的一端固定在所述下底板上，所述支撑片沿轴向的另一端固定在所述上底板上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述上底板上设有用于与电机连接的连接柱，以使所述载晶架在所述电机的驱动下转动。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体生长溶液的饱和点为50～65℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述点籽晶在不同方向上依次发生定向生长的过程中，所述载晶架旋转。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

a)将配制好的所述晶体生长溶液注入所述载晶架中；

b)加热所述晶体生长溶液至饱和点以上10～20℃，过热处理，然后降温至饱和点以上2～5℃；

c)将所述点籽晶放置于所述载晶架上，微融，控制晶体生长溶液温度至饱和点以下；

d)将晶体生长溶液降温至饱和点以下5～10℃，使点籽晶横向定向生长；之后将晶体生长溶液降温至饱和点以下10～20℃，使点籽晶纵向定向生长，得到所述KDP类晶体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤a)包括：将配制好的所述晶体生长溶液过滤、注入生长槽中，将载晶架放置于所述生长槽中，所述晶体生长溶液进入所述载晶架中。

8.一种权利要求1至7任一项所述的方法制备得到的KDP类晶体，其特征在于，所述KDP类晶体包括柱面和锥面，所述锥面的高度≥430mm×sin59°。