[发明专利]一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺有效
| 申请号: | 201910249817.5 | 申请日: | 2019-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN109980047B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
| 发明(设计)人: | 杨飞飞;赵科巍;张波;郭卫;吕涛 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 匹配 选择性 发射极 低压 扩散 工艺 | ||
本发明涉及低温扩散领域。一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺,沉积磷源,进行两次沉积。高温推进,进行两次推进;表面磷源沉积,沉积压力100‑120mbar,温度840‑850℃,通氮气300‑400sccm,三氯氧磷900‑1000sccm,沉积时间2‑3min,低温推进,推进压力100‑120mbar,温度780‑790℃,通氮气1100‑1300sccm,推进时间2‑3min。本方案通过优化低压扩散工艺,同时满足激光掺杂与非掺杂区域不同表面浓度的要求,最大程度发挥激光SE的优势。
技术领域
本发明涉及低温扩散领域。
背景技术
PERC单晶电池的出现,满足市场对高效电池需求的同时,提升了国内整体光伏制造的技术水准,截止到2018年的下半年,单晶PERC开始陆续叠加激光SE,效率提升0.2-0.3%,具体工艺实施中,激光SE与扩散工艺的匹配是提效的关键,因此优化扩散工艺使得激光SE发挥其最大的作用成为PERC单晶新的效率增长点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何优化低压扩散工艺匹配激光SE,提升PERC单晶效率。
本发明所采用的技术方案是:一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺,按照如下的步骤进行
步骤一、沉积磷源,进行两次沉积,首先设置沉积压力100-120mbar,温度740-760℃,通氮气流量300-400sccm,三氯氧磷流量900-1000sccm,氧气流量800-900sccm,进行第一次沉积,沉积时间9-10min;然后进行二次沉积,沉积压力100-120mbar,温度780-820℃,通氮气1200-1400sccm,三氯氧磷流量900-1000sccm,不通入氧气,沉积时间6min。
步骤二、 高温推进,进行两次推进,第一次推进,推进压力100-120mbar,温度830-850℃,氮气流量1500-1900 sccm,氧气流量400-600 sccm,时间4min;然后进行二次推进,推进压力100-120mbar,温度850℃,氮气流量1500 sccm,不通入氧气,时间3min。
步骤三、表面磷源沉积,沉积压力100-120mbar,温度840-850℃,通氮气300-400sccm,三氯氧磷900-1000sccm,沉积时间2-3min。
步骤四、低温推进,推进压力100-120mbar,温度780-790℃,通氮气1100-1300sccm,推进时间2-3min。
本发明的有益效果是:激光SE的关键工艺点在于激光开槽处的接触电阻需要降到合适的大小,不过单纯的依靠激光推进结深的方式降低接触电阻,并不能保证转换效率最大的提升,同时可能导致饱和电流密度的增加。如果在扩散段通过增加表面磷掺杂浓度,后经激光推进达到降低接触电阻的目的,可以保证最优的效果。具体的实现措施为,首先利用低压扩散多次沉积与推进制作正常的PN结,制作的顺序为先有氧沉积后无氧沉积,然后进行推进,最后在表面通过小流量大氮、大流量小氮和小氧沉积一层薄薄的磷。需要说明的是,可以通过优化最后一层的大氮、小氮和小氧的流量间接控制表面沉积磷源的密度与厚度。本方案通过优化低压扩散工艺,同时满足激光掺杂与非掺杂区域不同表面浓度的要求,最大程度发挥激光SE的优势。
具体实施方式
PERC单晶电池的出现,满足市场对高效电池需求的同时,提升了国内整体光伏制造的技术水准,截止到2018年的下半年,单晶PERC开始陆续叠加激光SE,效率提升0.2-0.3%,具体工艺实施中,激光SE与扩散工艺的匹配是提效的关键,区别与常规PERC扩散工艺,激光SE主要利用扩散浅结低表面浓度的特点增加电池的外量子效应,从而提升转换效率,但低表面浓度不利用激光SE的掺杂,本方案的目的是通过优化低压扩散工艺,同时满足激光掺杂与非掺杂区域不同表面浓度的要求,最大程度发挥激光SE的优势。
一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺,按照如下的步骤进行
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





