[发明专利]一种Micro LED阵列结构、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种Micro LED阵列结构，其特征在于，包括

基板；

设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；

控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光；以及

形成在所述基板上的多列阴极结构和与所述阴极结构电绝缘的多行第一阳极结构和多行第二阳极结构；

所述4个子像素的阴极分别与对应的阴极结构电连接，所述显示子像素的阳极与对应的第一阳极结构电连接，所述待机子像素的阳极与对应的第二阳极结构电连接。

2.根据权利要求1所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，还包括

形成在所述基板上的多行阳极结构和与所述阳极结构电绝缘的多列第一阴极结构和多列第二阴极结构；

所述4个子像素的阳极分别与对应的阳极结构电连接，显示子像素的阴极与对应的第一阴极结构电连接，待机子像素的阴极与对应的第二阴极结构电连接。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，所述控制电路包括：

启动单元；

时序控制单元；以及

输出单元，

其中

所述启动单元响应于第一指令指示所述时序控制单元生成第一时序控制信号从而通过输出单元向所述显示子像素输出所述第一时序控制信号；

所述启动单元响应于第二指令指示所述时序控制单元生成第二时序控制信号从而通过输出单元向所述待机子像素输出所述第二时序控制信号。

4.根据权利要求1所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，还包括

用于感测外部的光线强度的感光元件，所述控制电路将所感测的光线强度与预设光线强度阈值进行比对，若所述光线强度大于光线强度阈值则所述控制电路控制所述待机子像素发光。

5.根据权利要求1所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，

每个像素单元对应两行第一阳极结构和一行第二阳极结构，其中两行第一阳极结构相邻。

6.根据权利要求5所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，

所述每个像素单元的4个子像素呈田字形排列；

所述待机子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第一远端，与第二阳极结构投影位置对应；

与所述待机子像素同行的显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的近端，与和所述第二阳极结构相邻的第一阳极结构投影位置对应；

另外两个显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第二远端，与另一所述第一阳极结构投影位置对应，

其中所述第一远端和第二远端相对。

7.根据权利要求1所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，

每个像素单元对应两行第一阳极结构和一行第二阳极结构，其中所述一行第二阳极结构形成在所述两行第一阳极结构之间。

8.根据权利要求7所述的Micro LED阵列结构，其特征在于，

所述每个像素单元的4个子像素呈田字形排列；

所述待机子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第一近端，与第二阳极结构投影位置对应；

与所述待机子像素同行的显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的远端，与一行第一阳极结构投影位置对应；

另外两个显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第二近端，与另一行所述第一阳极结构投影位置对应，

其中所述第一近端和第二近端相邻。