[发明专利]多层陶瓷电子组件和多层陶瓷电子组件封装件

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及在堆叠方向上交替地层叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层设置于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述第一内电极和所述第二内电极分别暴露于所述陶瓷主体在与所述堆叠方向垂直的长度方向上的第一外表面和第二外表面；

第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第一外表面和所述第二外表面上以分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，所述第一外电极包括具有与所述陶瓷主体的所述第一外表面接触的至少一部分的第一基础电极层以及覆盖所述第一基础电极层的第一镀层，所述第二外电极包括具有与所述陶瓷主体的所述第二外表面接触的至少一部分的第二基础电极层以及覆盖所述第二基础电极层的第二镀层；以及

防水层，包括覆盖所述第一镀层和所述第二镀层的外表面的第一部分和覆盖所述陶瓷主体的至少一个表面的第二部分，

其中，所述防水层还包括覆盖所述陶瓷主体与所述第一镀层之间的间隙和所述陶瓷主体与所述第二镀层之间的间隙的第三部分，并且

其中，arcsin(Pa/Pc)是所述第三部分的倾斜表面相对于所述陶瓷主体的被所述第二部分覆盖的所述至少一个表面的角，arcsin(Pa/Pc)为30度或更大且60度或更小，其中，Pa表示从所述第一镀层和所述第二镀层与所述陶瓷主体的所述至少一个表面相交的角部边缘到所述第三部分的所述倾斜表面的最小距离，Pc表示从所述角部边缘到所述第三部分的所述倾斜表面与覆盖所述陶瓷主体的所述至少一个表面的所述第二部分之间的相交部分的最小距离。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，是50度或更大且60度或更小，其中，L表示所述陶瓷主体在所述长度方向上的长度。

3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电子组件，其中，Pa是3.73μm或更大且30.71μm或更小，

Pc是5.54μm或更大且58.06μm或更小，并且

L是1.0mm或更大且3.2mm或更小。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极还包括设置在所述第一基础电极层与所述第一镀层之间的第一导电树脂层，所述第二外电极还包括设置在所述第二基础电极层与所述第二镀层之间的第二导电树脂层，并且

所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层中的每个具有在所述长度方向上延伸的至少一部分，以与所述陶瓷主体的所述至少一个表面接触。

5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一基础电极层和所述第二基础电极层中的每个沿着所述陶瓷主体的表面沿着长度方向延伸，并且

位于所述陶瓷主体上的所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层中的每个在厚度方向上具有比位于所述陶瓷主体上的所述第一基础电极层和所述第二基础电极层中的每个在厚度方向上的厚度大的厚度。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，Pa/Pb为20或更大且111或更小，其中，Pb表示所述防水层的覆盖所述陶瓷主体的所述至少一个表面的所述第二部分的厚度。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，((Pa/Pb)*(1.0mm/L))为6.25或更大且67或更小。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，随着所述防水层的覆盖所述陶瓷主体与所述第一镀层之间的所述间隙和所述陶瓷主体与所述第二镀层之间的所述间隙的所述第三部分越接近所述间隙，所述第三部分具有越高的密度。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述防水层的覆盖所述陶瓷主体与所述第一镀层之间的所述间隙和所述陶瓷主体与所述第二镀层之间的所述间隙的所述第三部分具有从所述防水层的覆盖所述陶瓷主体的所述至少一个表面的所述第二部分的一端到所述防水层的覆盖所述第一镀层和所述第二镀层的所述外表面的所述第一部分的一端连续的表面。