[发明专利]带载体的极薄铜箔及其制造方法有效

申请号：	201910236053.6	申请日：	2016-01-20
公开（公告）号：	CN110072334B	公开（公告）日：	2022-04-01
发明（设计）人：	花田徹;高梨哲聪;松永哲广;立冈步	申请（专利权）人：	三井金属矿业株式会社
主分类号：	H05K1/09	分类号：	H05K1/09;H05K3/02;C25D5/48;C25D1/04;C25D3/12;C25D3/38
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	载体铜箔及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种带载体的极薄铜箔，其依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔，

所述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下、波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下、且所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

2.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的所述表面峰间的平均距离(Peak spacing)为1～15μm。

3.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为0.8μm以下。

4.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面为粗化面。

5.根据权利要求4所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述粗化面具有多个粗化颗粒，该多个粗化颗粒自基底面起的平均粗化颗粒高度为1.0～1.4μm，且与自所述基底面起的高度相应的切断面中的粗化颗粒的截面数的分布曲线的1/10值宽度为1.3μm以下，所述基底面是相当于所述多个粗化颗粒间的谷底之中的最低位置且与所述极薄铜箔平行的面。

6.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔具有0.1～5.0μm的厚度。

7.一种权利要求1～6中任一项所述的带载体的极薄铜箔的制造方法，其包括：

准备具有谷间的平均距离(Valley spacing)为15μm以下、且波纹度的最大高低差(Wmax)为0.8μm以下的表面的载体箔的步骤；

在所述载体箔的所述表面上形成剥离层的步骤；以及

在所述剥离层上形成极薄铜箔的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述载体箔的表面的谷间的平均距离(Valleyspacing)为1～10μm。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述载体箔的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为0.1～0.7μm。

10.一种覆铜层叠板，其具备权利要求1～6中任一项所述的带载体的极薄铜箔。

11.一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～6中任一项所述的带载体的极薄铜箔来制造印刷电路板。

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