[发明专利]一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料在审
| 申请号： | 201910227097.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109796202A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李元勋;陆永成;彭睿;陶志华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/64;H01C7/112;H01C7/108 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温烧结 烧结 叠层片式压敏电阻 叠层片式电容器 片式压敏电阻器 电子材料技术 生产制造工艺 压敏电阻材料 非线性系数 材料通过 传质过程 高稳定性 液相烧结 高稳定 漏电流 压敏 制备 玻璃 应用 | ||
1.一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料，其特征在于：
在ZnO-Bi2O3基低温烧结压敏电阻材料中添加Ta2O5与硼硅锌铋玻璃BBSZ，用料量Ta2O5：BBSZ：ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.02～0.50：0.60～0.88：100.00～100.60；
其中ZnO-Bi2O3基包括Bi2O3、Co3O4、MnCO3、Sb2O3、Cr2O3、MgO、SiO2，用料量ZnO：Bi2O3：Co3O4：MnCO3：Sb2O3：Cr2O3：MgO：SiO2的摩尔比为94.70～95.80：0.58～0.72：0.11～0.19：0.38～0.58：0.88～2.10：0.24～0.39：0.30～1.10：0.40～0.72；
将上述原料经球磨混合、烘干、粉碎过筛即可制得高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料。
2.一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料，其特征在于：烧结温度为850℃～925℃，升温速率为1～2℃/min，保温时间为4～8h。
3.一种叠层片式压敏电阻器，其特征在于：
采用如权利要求1所述高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料制备，依次经配制浆料、流延、叠压、成型、等静压、切割、排胶、烧结、倒角、喷涂、封端、电镀，得到叠层片式压敏电阻器；其中流延的膜片厚度50μm，等静压压力32MPa并保压15min，烧结温度为850℃～925℃，升温速率为1～2℃/min，保温时间为4～8h。
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