[发明专利]一种MOCVD托盘的处理方法在审
申请号: | 201910217966.3 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN111719139A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李强;邓桃;刘飞;王朝旺;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 潍坊华光光电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 王楠 |
地址: | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mocvd 托盘 处理 方法 | ||
本发明涉及一种MOCVD托盘的处理方法,主要根据AlAs材料易于氧化的特性,在托盘上镀覆AlAs材料和AlGaAs材料,方便后续对托盘处理时、可对托盘上的材料进行氧化,从根基对生长材料进行破坏,加快材料的脱落速率。同时,结合bake炉的高温处理特性,对材料行进二次处理,从而让材料更加容易处理,保证托盘的完整性与稳定性。
技术领域
本发明涉及一种对金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)设备使用托盘的处理方法以达到使托盘能够快速简易清理的目的,属于半导体技术领域。
背景技术
伴随着现代社会的发展,资源问题日益突出,如何能够寻找无污染、可再生的资源成为摆在我们面前的首要问题,可持续发展与生态环境的保护也日益成为我们工作关注的重点。如何在不耽误现有生产力的基础上,找到更好的能源替代者,或者减少能源消耗,已经逐渐的成为了我们现有工作的方向。
于是在这种情况下,基于LED的特性,它开始得到广泛的应用。LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源,以达到我们节能降耗的目的。LED有着广泛的用途以及不可替代的优势:一、体积小,LED基本上都是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面,所以它非常的小,非常的轻;二、耗电量低,LED耗电相当低,一般来说LED的工作电压是2-3.6V。工作电流是0.02-0.03A。这就是说:它消耗的电能不超过0.1W,这就为我们在能源方面的工作提出了指导性的意义;三、使用寿命长,LED光源固体冷光源,环氧树脂封装,灯体内也没有松动的部分,不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点,在恰当的电流和电压下,使用寿命可达6万到10万小时,比传统光源寿命长10倍以上;四、高亮度、低热量,LED使用冷发光技术,发热量比普通照明灯具低很多;五、环保,环保效益更佳,光谱中没有紫外线和红外线,既没有热量,也没有辐射,眩光小,而且废弃物可回收,没有污染不含汞元素,冷光源,可以安全触摸,属于典型的绿色照明光源LED是由无毒的材料作成,不像荧光灯含水银会造成污染,同时LED也可以回收再利用;六、坚固耐用,LED是被完全的封装在环氧树脂里面,它比灯泡和荧光灯管都坚固。灯体内也没有松动的部分,这些特点使得LED可以说是不易损坏的;七、高节能:节能能源无污染即为环保。直流驱动,超低功耗(单管0.03-0.06瓦)电光功率转换接近100%,相同照明效果比传统光源节能80%以上;八、多变幻,LED光源可利用红、绿、蓝三基色原理,在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合,即可产生256×256×256=16777216种颜色,形成不同光色的组合变化多端,实现丰富多彩的动态变化效果及各种图像。
由于LED具有如此不可忽略与替代的优势,如何制造出高亮度、符合我们要求的产品又成为我们的工作重点。金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical VapourDeposition,简称MOCVD)设备是目前世界范围内进行所有半导体化合物生长的成熟技术。
MOCVD技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。
外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical VaporDeposition,简称MOCVD)技术是生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。II、III族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:Ga(CH3)3,In(CH3)3,Al(CH3)3,Ga(C2H5)3,Zn(C2H5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与V族的氢化物(如NH3,PH3,AsH3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。
MOCVD设备作为能够进行快速大量生产的设备,在市场上收到广泛好评。而托盘作为承载生长的介质,如何能够保证快速且高效的处理托盘,为生长提供一个稳定的条件,就成为限制批量生长的条件。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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