[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置有效
申请号: | 201910193986.1 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN109935602B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置,制程方法包括步骤:提供一基底,在基底上依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料;使用半色调掩膜形成第一光阻部,并形成第二光阻部;基于第一光阻部形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时基于第二光阻部形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层;同时在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层。本申请使得显示面板在不增加制程情况下,实现光感应功能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置。
背景技术
随着科技的发展和进步,液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品,得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子,并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。
而为了能够让显示面板能够感知外界的光线强弱而进行自主调节亮度和对比度,在某些显示面板中设置了光传感器,但是设置光传感器增加了光罩制程,降低了生产效率。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制程方法和显示装置,以使得显示面板具有光感应功能的同时,避免光罩制程的增加。
本发明公开了一种阵列基板的制程方法,包括步骤:
提供一基底,基底包括主动开关区域和光传感器区域,在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极,绝缘层,第一半导体层和欧姆接触层;
在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料,以覆盖主动开关区域和光传感器区域;
使用半色调掩膜,对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部,并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部;
基于第一光阻部,对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层,同时,基于第二光阻部,对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层;
将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除,并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关;同时,在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器。
可选的,所述半色调掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部;所述使用半色调掩膜,对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部,并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部的步骤包括:
使用半色调掩膜,形成位于欧姆接触层上方的第一光阻侧部、光阻中部和第二光阻侧部以得到第一光阻部,同时,形成位于绝缘层上方的第二光阻部;
其中,所述光阻中部的光阻厚度为第一厚度,所述第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度为第二厚度,所述第二光阻部的光阻厚度为第三厚度;所述第一厚度小于第二厚度,所述第二厚度小于第三厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的