[发明专利]一种半导体器件及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成多个金属栅极、位于所述金属栅极之间的外延结构和覆盖所述金属栅极和所述外延结构的介质层；

去除所述外延结构上方的介质层，露出所述外延结构和所述外延结构两侧的所述金属栅极的侧壁；

形成覆盖所述金属栅极的侧壁的侧墙；

形成覆盖所述外延结构的金属层；

形成覆盖所述金属层的隔离层；

在所述金属层的上方的预定位置形成扩散接触孔；

其中，所述去除所述外延结构上方的介质层，包括：

采用宽度大于所述金属栅极之间的距离的掩膜图案刻蚀所述外延结构上方的介质层。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属栅极上方具有保护层，在所述隔离层的预定位置形成接触孔的同时，所述方法还包括：

在所述金属栅极上方的预定位置形成栅极接触孔。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在所述金属栅极上方的预定位置形成栅极接触孔，包括：

刻蚀所述保护层的预定位置，以形成露出金属栅极的第一通孔；

在所述第一通孔中沉积导电材料。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述在所述金属层上方的预定位置形成扩散接触孔，包括：

刻蚀所述隔离层的预定位置，以形成露出金属层的第二通孔；

在所述第二通孔中沉积导电材料。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，同时在所述第一通孔和第二通孔中沉积金属。

6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述外延结构的金属层，包括：

在所述外延结构上方沉积金属层；

采用化学机械研磨工艺研磨所述介质层、金属层和侧墙直至露出所述保护层；

回刻蚀所述金属层。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述金属层的隔离层，包括：

沉积隔离层；

采用化学机械研磨工艺研磨所述隔离层，以使所述隔离层的上表面与所述介质层的上表面平齐。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料与所述隔离层的材料相同。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙和所述隔离层的材料为碳化硅或碳氧化硅。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成多个金属栅极、位于所述金属栅极之间的外延结构和介质层；

保护层，所述保护层覆盖所述金属栅极的顶部；

金属层，所述金属层与所述外延结构电连接；

侧墙，所述侧墙覆盖所述金属层的侧壁，以使得所述金属层和所述金属栅极电隔离；

隔离层，所述隔离层覆盖所述金属层的顶部；

扩散接触孔，所述扩散接触孔形成在所述金属层的上方的预定位置；

其中，所述介质层通过如下步骤设置：

形成覆盖所述金属栅极和所述外延结构的介质层；

采用宽度大于所述金属栅极之间的距离的掩膜图案刻蚀所述外延结构上方的介质层，露出所述外延结构和所述外延结构两侧的所述金属栅极的侧壁。

11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

栅极接触孔，所述栅极接触孔形成在金属栅极上方的预定位置。