[发明专利]存储器片内自测试方法、装置和存储器

说明书

本发明提供的一种存储器片内自测试方法、装置和存储器，通过获取自测试信号后令所述存储器进入自测试状态；在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域；对所述存储器的各存储单元进行测试并将存在故障的存储单元的故障信息存储到所述无故障区域；在自测试结束后将所述无故障区域存储的首地址输出到外部端口以供读取。本发明能够降低了测试成本，而且可以对存储器进行全速测试，增加了测试的故障覆盖率和测试效率，减小了测试的面积开销，能够更加方便及时地发现存储器的问题所在。

技术领域

本发明涉及存储器自测试技术领域。尤其是涉及一种存储器片内自测试方法、装置和存储器。

背景技术

新一代的非易失性存储器，例如相变存储器(PCM)，因其超高的读写速度、高密度、高擦写次数和与CMOS工艺相兼容的特性而备受业界青睐。然而，存储器的容量不断增大，集成度也不断提高，为了进一步确保其可靠性，新型存储器的可测性设计研究就显得十分必要，如何快速而高效地对存储器进行测试，是批量存储器测试的一个重要课题。

对于存储器的测试，在之前容量不大，集成度不是很高，故障类型不复杂的情况下，采用传统的外部自动测试设备(ATE)可以达到不错的速度和效果。但是，随着存储器容量和集成度的不断提高，使得外部测试的开销越来越大，有时甚至超过了设计和制造的成本，并且芯片的规模一再扩大，也超出了目前自动测试设备的速度和存储能力，这样会因为降低故障查找效率而降低产品质量，或者因为增加测试时间而加大测试成本。另外，工艺的不断进步使得深亚微米存储器芯片的故障类型也变得多种多样，这大大增加了传统测试方法的难度。相变存储器等新型存储器作为最有潜力的下一代非易失性存储器，在其技术日益成熟，容量和集成度不断增大的情况下，其测试的方案也亟需更新换代。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种存储器片内自测试方法、装置和存储器，用于满足现有存储器测试效率低，成本高，故障覆盖率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种存储器片内自测试方法，应用于存储器，所述方法包括：获取自测试信号后令所述存储器进入自测试状态；在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域；对所述存储器的各存储单元进行测试并将存在故障的存储单元的故障信息存储到所述无故障区域；在自测试结束后将所述无故障区域存储的首地址输出到外部端口以供读取。

于本发明的一实施例中，所述存储器包括正常工作状态、及自测试状态；当所述存储器处于正常工作状态时，所述存储器的地址信号、数据信号、及读/写使能控制信号由外部端口提供；当所述存储器进入自测试状态时，所述存储器的地址信号、数据信号、及读/写使能控制信号由内部提供。

于本发明的一实施例中，所述在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域的方法包括：从所述存储器的起始地址开始，按一定地址顺序依次选取一或多个所述存储单元以构成满足预设大小的存储区域，并保存所述存储区域的首地址、及末地址值；对所述存储区域内的各所述存储单元进行测试，比较各所述存储单元测试得到的测试数据与预设测试数据是否一致；若不一致，则判定所述存储单元存在故障；若一致，则判定所述存储单元不存在故障；当测试所述存储单元存在故障时，将所选的存储区域的首地址改为当前地址的下一个地址，以及将所选的存储区域的末地址依据预设大小进行相应调整；对调整地址后的所述存储区域重新进行测试，直至找到各所述存储单元不存在故障的所述存储区域作为无故障区域；若不存在所述无故障区域，则调整所述无故障区域的大小或加入软纠错算法以再次寻找。