[发明专利]一种IC类抛光片缺陷检验方法

权利要求书

1.一种IC类抛光片缺陷检验方法，其特征在于：包括COP缺陷检测和粗糙度检测；

所述COP缺陷检测用于检测抛光片的COP缺陷；

所述粗糙度检测用于检测抛光片表面的粗糙度。

2.根据权利要求1所述的IC类抛光片缺陷检验方法，其特征在于：所述COP缺陷检测包括晶体部分检测,所述晶体部分检测的方法如下：

S1、晶体待测样品处理；晶体待测样品经过切片、磨片、腐蚀、抛光至抛光片；

S2、FPD测试；使用Secco溶液腐蚀晶体待测样品，观察FPD缺陷，检测是否存在COP缺陷；

S3、OISF测试；取部分抛光片在湿氧条件下进行高温处理，使用Wright Etching溶液腐蚀，然后在显微镜下观察缺陷环，确认COP缺陷分布范围；

S4、SP1测试；通过SP1颗粒扫描仪进行扫描测试，根据mapping分布进一步确认COP缺陷分布，根据测试结果判断COP粒径大小和数量。

3.根据权利要求2所述的IC类抛光片缺陷检验方法，其特征在于：所述COP缺陷检测还包括晶片部分检测，晶片部分检测如下：

1)、取部分抛光片在湿氧条件下进行高温处理；

2)、使用HF去除背面氧化膜；

3)、通过晶体原生缺陷检测设备进行Cu坠饰；

4)、利用显微镜观察COP缺陷分布；

5)、利用SP1颗粒扫描仪进行扫描，根据mapping分布进一步确认COP缺陷分布，根据SP1测试结果判断COP缺陷的大小和数量。

4.根据权利要求1所述的IC类抛光片缺陷检验方法，其特征在于，所述粗糙度测试包括：

步骤A、使用显微镜进行粗糙度测试，用于检测粗糙度值；

步骤B、使用颗粒扫描仪进行Haze测试，用于测试微粗糙度；

步骤C、通过粗糙度值、Haze值及Mapping图进行抛光片表面粗糙度分析及改善。