[发明专利]一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺在审
| 申请号： | 201910097427.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109896497A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王凌云;林志鸿;卜振翔 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米玻璃 玻璃回流 封装 真空度要求 基底键合 块状玻璃 腔体边缘 商用玻璃 填充不足 玻璃块 盖帽 键合 刻蚀 空腔 热熔 微腔 填充 玻璃 | ||
1.一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺，其特征在于包括以下步骤：
1)硅微腔刻蚀；
2)纳米玻璃粉填充；
3)纳米玻璃粉热熔回流；
4)硅盖帽与MEMS器件基底键合。
2.如权利要求1所述一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺，其特征在于在步骤1)中，所述硅微腔刻蚀的具体方法为：
首先对厚度为800μm，直径为4寸的硅片进行清洗，其次采用50︰1的刻蚀比在旋涂机上以1800r/min旋涂AZ4620光刻胶30s后用光刻机MA6曝光140s并进行显影、烘干完成光刻，然后采用深反应离子刻蚀法刻蚀出400μm深，350μm宽的微腔，最后使用H2SO4︰H2O2＝5︰1的3号液在90～180℃浸洗15min完成硅微腔的制作；所述硅微腔刻蚀可采用深反应离子刻蚀、光辅助电化学刻蚀、LIGA工艺进行刻蚀。
3.如权利要求1所述一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺，其特征在于在步骤2)中，所述纳米玻璃粉填充时加入离子水与异丙醇混合溶液，使纳米玻璃粉变成糊状再填充，所述离子水与异丙醇混合溶液的体积比为1︰1，1g的纳米玻璃粉变成糊状后用于填充166.6mm3硅微腔。
4.如权利要求1所述一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺，其特征在于在步骤3)中，所述纳米玻璃粉热熔回流的升温速度为10℃/s，保温温度范围为870～950℃，回流气氛为空气，降温方式为自然冷却至室温，最终冷却后，硅层厚度︰玻璃层厚度︰空腔厚度＝3︰3︰2。
5.如权利要求1所述一种面向MEMS封装的纳米玻璃粉回流工艺，其特征在于在步骤4)中，所述硅盖帽与MEMS器件基底键合采用阳极键合。
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