[发明专利]磁存储装置

说明书

实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体、上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间的第1非磁性体、相对于上述第1铁磁性体而位于与上述第1非磁性体相反侧的第2非磁性体、相对于上述第2非磁性体而位于与上述第1铁磁性体相反侧的第3非磁性体。上述第2非磁性体包含稀土类氧化物，上述第3非磁性体包含钌(Ru)或者钼(Mo)。

本申请享受以日本专利申请2018－163553号(申请日：2018年8月 31日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及磁存储装置。

背景技术

已知具有磁阻效应元件的磁存储装置。

发明内容

实施方式提供一种能够提高隧道磁阻比及磁各向异性的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体、上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间的第1非磁性体、相对于上述第1铁磁性体而位于与上述第1非磁性体相反侧的第2非磁性体、相对于上述第2非磁性体而位于与上述第1铁磁性体相反侧的第3非磁性体。上述第2非磁性体包含稀土类氧化物，上述第 3非磁性体包含钌(Ru)或者钼(Mo)。

附图说明

图1是用于说明第1实施方式的磁存储装置的构成的框图。

图2是用于说明第1实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的构成的电路图。

图3是用于说明第1实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的构成的断面图。

图4是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的构成的断面图。

图5是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图6是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图7是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图8是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的组成的图。

图9是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图10是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的磁各向异性的图。

图11是用于说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的隧道磁阻比的图。

图12是用于说明第1变形例的磁存储装置的磁阻效应元件的构成的断面图。

图13是用于说明第2变形例的磁存储装置的存储单元阵列的构成的电路图。

图14是用于说明第2变形例的磁存储装置的存储单元的构成的断面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对具有相同功能及构成的构成要素标记共同的附图标记。另外，在对具有共同的附图标记的多个构成要素进行区别的情况下，对该共同的附图标记添加标号来进行区别。此外，在对多个构成要素不需要特别区别的情况下，在该多个构成要素仅标记共同的附图标记，不添加标号。在此，标号不限于下标文字、上标文字，例如包括在附图标记的末尾添加的小文字的字母 (alphabet)及意味着排列的索引等。

1.第1实施方式