[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，具备磁阻效应元件，

所述磁阻效应元件包括：

第1铁磁性体；

第2铁磁性体；

所述第1铁磁性体与所述第2铁磁性体之间的第1非磁性体；

相对于所述第1铁磁性体而位于与所述第1非磁性体相反侧的第2非磁性体；以及

相对于所述第2非磁性体而位于与所述第1铁磁性体相反侧的第3非磁性体，

所述第2非磁性体包含稀土类氧化物，

所述第3非磁性体包含钌(Ru)或者钼(Mo)。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第3非磁性体还包含从硼(B)、硅(Si)以及碳(C)选择的至少一种元素。

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第3非磁性体具有无定形结构。

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第3非磁性体与所述第2非磁性体接触。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第3非磁性体具有0.5纳米以上且3纳米以下的膜厚。

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体包含从钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)以及镝(Dy)选择的至少一种稀土类元素的氧化物。

7.根据权利要求6所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体还包含硼(B)。

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体还包含铁(Fe)。

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体与所述第1铁磁性体接触。

10.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体具有0.5纳米以上且2纳米以下的膜厚。

11.根据权利要求10所述的磁存储装置，

所述第2非磁性体具有0.7纳米以上且1.3纳米以下的膜厚。

12.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第1铁磁性体包含从铁(Fe)、钴(Co)以及镍(Ni)选择的至少一种元素。

13.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第2铁磁性体包含从铁(Fe)、钴(Co)以及镍(Ni)选择的至少一种元素。

14.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第1铁磁性体具有比所述第2铁磁性体小的磁化。

15.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第1铁磁性体具有1纳米以上且3纳米以下的膜厚。

16.根据权利要求15所述的磁存储装置，

所述第1铁磁性体具有1纳米以上且2纳米以下的膜厚。

17.根据权利要求1所述的磁存储装置，

具备存储单元，所述存储单元包括所述磁阻效应元件和与所述磁阻效应元件连接的选择器。

18.根据权利要求1所述的磁存储装置，

所述第1铁磁性体、所述第1非磁性体以及所述第2铁磁性体形成磁隧道结。