[发明专利]存储装置在审
申请号: | 201910093751.5 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110911554A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 佐贯朋也 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
实施方式提供一种高性能的存储装置。实施方式的存储装置包含第1导电体、第1电阻变化元件、第2导电体、第2电阻变化元件、第3导电体、第1开关元件、及第2开关元件。第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。或者,第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第2导电体连接。或者,第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第1导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。
本申请享有以日本专利申请2018-173092号(申请日:2018年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
总的来说,实施方式涉及一种存储装置。
背景技术
已知有使用能够切换元件的电阻存储数据的存储装置。
发明内容
实施方式提供一种高性能的存储装置。
一实施方式的存储装置包含第1导电体、多个第1电阻变化元件、第2导电体、多个第2电阻变化元件、第3导电体、第1开关元件、及第2开关元件。所述第1导电体沿第1轴延伸。所述多个第1电阻变化元件位于所述第1导电体的上方。所述第2导电体在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸。所述多个第2电阻变化元件位于所述第2导电体的上方。所述第3导电体在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸。所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。或者,所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接。或者,所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第1导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。
附图说明
图1是表示第1实施方式的存储装置的功能区块的图。
图2是第1实施方式的存储单元阵列的电路图。
图3是表示第1实施方式的存储单元阵列的一部分的平面构造的图。
图4是表示第1实施方式的存储单元阵列的另一部分的平面构造的图。
图5(a)、(b)是表示第1实施方式的存储单元阵列的一部分的截面构造的图。
图6是表示第1实施方式的开关元件的动作的原理的图。
图7是表示第1实施方式的电阻变化元件的构造的例子的图。
图8是表示第1实施方式的电阻变化元件的构造的另一例的图。
图9(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的一步骤的图。
图10(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图9后的步骤的图。
图11(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图10后的步骤的图。
图12(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图11后的步骤的图。
图13(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图12后的步骤的图。
图14(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图13后的步骤的图。
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