[发明专利]存储装置在审

专利信息
申请号: 201910093751.5 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN110911554A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 佐贯朋也 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【说明书】:

实施方式提供一种高性能的存储装置。实施方式的存储装置包含第1导电体、第1电阻变化元件、第2导电体、第2电阻变化元件、第3导电体、第1开关元件、及第2开关元件。第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。或者,第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第2导电体连接。或者,第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第1导电体连接,并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。

相关申请

本申请享有以日本专利申请2018-173092号(申请日:2018年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

总的来说,实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

已知有使用能够切换元件的电阻存储数据的存储装置。

发明内容

实施方式提供一种高性能的存储装置。

一实施方式的存储装置包含第1导电体、多个第1电阻变化元件、第2导电体、多个第2电阻变化元件、第3导电体、第1开关元件、及第2开关元件。所述第1导电体沿第1轴延伸。所述多个第1电阻变化元件位于所述第1导电体的上方。所述第2导电体在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸。所述多个第2电阻变化元件位于所述第2导电体的上方。所述第3导电体在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸。所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。或者,所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接。或者,所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第1导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储装置的功能区块的图。

图2是第1实施方式的存储单元阵列的电路图。

图3是表示第1实施方式的存储单元阵列的一部分的平面构造的图。

图4是表示第1实施方式的存储单元阵列的另一部分的平面构造的图。

图5(a)、(b)是表示第1实施方式的存储单元阵列的一部分的截面构造的图。

图6是表示第1实施方式的开关元件的动作的原理的图。

图7是表示第1实施方式的电阻变化元件的构造的例子的图。

图8是表示第1实施方式的电阻变化元件的构造的另一例的图。

图9(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的一步骤的图。

图10(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图9后的步骤的图。

图11(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图10后的步骤的图。

图12(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图11后的步骤的图。

图13(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图12后的步骤的图。

图14(a)、(b)是表示第1实施方式的存储装置的一部分制造工序的继图13后的步骤的图。

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