[发明专利]存储装置在审
申请号: | 201910093751.5 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110911554A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 佐贯朋也 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,具备:
第1导电体,沿第1轴延伸;
所述第1导电体的上方的多个第1电阻变化元件;
第2导电体,在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸;
所述第2导电体的上方的多个第2电阻变化元件;
第3导电体,在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸;
第1开关元件;及
第2开关元件;且
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接,或者
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,或者
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第1导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述多个第1电阻变化元件遍及包含所述第1轴及所述第2轴的第1面而排列,
所述多个第2电阻变化元件遍及所述第1面而排列,
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件连接,且
所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件连接。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第2导电体的底面连接,且
所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第3导电体的底面连接。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第2导电体的底面连接,且
所述第2开关元件与所述第2导电体的上表面及所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的底面连接。
5.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述第1开关元件与所述第1导电体的上表面及所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的底面连接,且
所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第3导电体的底面连接。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其中
所述多个第1电阻变化元件沿着所述第1轴及所述第2轴呈矩阵状排列,且
所述多个第2电阻变化元件沿着所述第1轴及所述第2轴呈矩阵状排列。
7.一种存储装置,具备:
第1导电体,沿第1轴延伸;
多个第1电阻变化元件,在所述第1导电体的上方呈交错状排列;
第2导电体,在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸;
多个第2电阻变化元件,在所述第2导电体的上方呈交错状排列;
第3导电体,在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸;
第1开关元件,与所述多个第1电阻变化元件中的2个连接;及
第2开关元件,与所述多个第2电阻变化元件中的2个连接。
8.根据权利要求7所述的存储装置,其中
所述多个第1电阻变化元件包含沿着所述第1轴排列的第1电阻变化元件的第1行、及沿着所述第1轴排列的第1电阻变化元件的第2行,且
所述第1电阻变化元件的所述第1行中的1个的所述第1轴上的坐标与所述第1电阻变化元件的所述第2行中的1个的所述第1轴上的坐标不同。
9.根据权利要求7所述的存储装置,其中
所述多个第1电阻变化元件遍及包含所述第1轴及所述第2轴的第1面而排列,
所述多个第2电阻变化元件遍及所述第1面而排列,
所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件连接,且
所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910093751.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储装置
- 下一篇:存储器系统及半导体存储装置