[发明专利]存储装置在审

专利信息
申请号: 201910093751.5 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN110911554A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 佐贯朋也 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种存储装置,具备:

第1导电体,沿第1轴延伸;

所述第1导电体的上方的多个第1电阻变化元件;

第2导电体,在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸;

所述第2导电体的上方的多个第2电阻变化元件;

第3导电体,在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸;

第1开关元件;及

第2开关元件;且

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接,或者

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第2导电体连接,或者

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的2个及所述第1导电体连接,并且所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的2个及所述第3导电体连接。

2.根据权利要求1所述的存储装置,其中

所述多个第1电阻变化元件遍及包含所述第1轴及所述第2轴的第1面而排列,

所述多个第2电阻变化元件遍及所述第1面而排列,

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件连接,且

所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件连接。

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第2导电体的底面连接,且

所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第3导电体的底面连接。

4.根据权利要求1所述的存储装置,其中

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第2导电体的底面连接,且

所述第2开关元件与所述第2导电体的上表面及所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的底面连接。

5.根据权利要求1所述的存储装置,其中

所述第1开关元件与所述第1导电体的上表面及所述多个第1电阻变化元件中的所述2个各自的底面连接,且

所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件中的所述2个各自的上表面及所述第3导电体的底面连接。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其中

所述多个第1电阻变化元件沿着所述第1轴及所述第2轴呈矩阵状排列,且

所述多个第2电阻变化元件沿着所述第1轴及所述第2轴呈矩阵状排列。

7.一种存储装置,具备:

第1导电体,沿第1轴延伸;

多个第1电阻变化元件,在所述第1导电体的上方呈交错状排列;

第2导电体,在所述多个第1电阻变化元件的上方沿第2轴延伸;

多个第2电阻变化元件,在所述第2导电体的上方呈交错状排列;

第3导电体,在所述多个第2电阻变化元件的上方沿所述第1轴延伸;

第1开关元件,与所述多个第1电阻变化元件中的2个连接;及

第2开关元件,与所述多个第2电阻变化元件中的2个连接。

8.根据权利要求7所述的存储装置,其中

所述多个第1电阻变化元件包含沿着所述第1轴排列的第1电阻变化元件的第1行、及沿着所述第1轴排列的第1电阻变化元件的第2行,且

所述第1电阻变化元件的所述第1行中的1个的所述第1轴上的坐标与所述第1电阻变化元件的所述第2行中的1个的所述第1轴上的坐标不同。

9.根据权利要求7所述的存储装置,其中

所述多个第1电阻变化元件遍及包含所述第1轴及所述第2轴的第1面而排列,

所述多个第2电阻变化元件遍及所述第1面而排列,

所述第1开关元件与所述多个第1电阻变化元件连接,且

所述第2开关元件与所述多个第2电阻变化元件连接。

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