[发明专利]双异质结光敏二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201910088614.2 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109873046B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;范旭东;潘棋;任羿烜;代天军;罗文博;张万里;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双异质结 光敏 二极管 制备 方法 | ||
1.双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；
所述窄禁带半导体材料层的材料包含Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；
所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；
所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。
2.如权利要求1所述的双异质结光敏二极管，其特征在于，
所述窄禁带半导体材料层的材料为Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；
所述第一硫族化合物层的材料为Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；
所述第二硫族化合物层的材料为HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。
3.如权利要求1所述的双异质结光敏二极管，其特征在于，
所述窄禁带半导体材料层的厚度为30纳米～300纳米，
所述第一硫族化合物层的厚度为1.3纳米～13纳米，
所述第二硫族化合物层的厚度为1.3纳米～13纳米。
4.如权利要求1所述的双异质结光敏二极管，其特征在于，所述单晶基片的材质为硅单晶、覆盖有二氧化硅层的硅单晶、硒化镉单晶或锑化镓单晶。
5.双异质结光敏二极管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
1)清洗单晶基片；
2)在单晶基片上顺序逐层设置第一硫族化合物层、窄禁带半导体层和第二硫族化合物层；
3)刻蚀窄禁带半导体层和第二硫族化合物层，至暴露出第一硫族化合物层；
4)在第一硫族化合物层的暴露表面和第二硫族化合物层的上表面设置电极；
所述窄禁带半导体层的材料包含Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；
所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；
所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。
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