[发明专利]一种激光辅助加热退火的方法有效
申请号: | 201910085905.6 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN111489968B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 安海岩;于海;王威;王虎 | 申请(专利权)人: | 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/268 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 辅助 加热 退火 方法 | ||
1.一种激光辅助加热退火的方法,其特征在于,所述方法应用于一加热退火装置,所述装置包括激光器、光学镜组,所述方法包括:
根据所述加热退火装置内的待退火材料,确定激光的特定波长,选择所述特定波长的激光光束对应的所述激光器;
获得所述待退火材料的加热区的位置、面积;
根据所述待退火材料、所述加热区面积,获得所述待退火材料的退火要求;
根据所述退火要求、所述特定波长的激光光束,调整所述激光器与所述加热区的位置关系及所述光学镜组的角度;
根据所述退火要求,控制所述激光器发射所述特定波长的激光光束,所述激光光束通过所述光学镜组,使所述激光光束聚焦于所述加热区并达到所述退火要求;
其中,所述根据所述待退火材料、所述加热区面积,获得所述待退火材料的退火要求,所述退火要求包括退火时间、加热温度、加热光斑面积;
其中,所述根据所述加热退火装置内的待退火材料,确定激光的特定波长,包括:
根据所述待退火材料,选择所述待退火材料吸收率高的激光波长作为所述特定波长激光;
所述根据所述退火要求,控制所述激光器发射所述特定波长的激光光束,所述激光光束通过所述光学镜组对所述激光光束进行多次传输实现对所述待退火材料三维空间位置的精确选择,使所述激光光束聚焦于所述加热区并达到所述退火要求,包括:
控制所述激光器发射所述特定波长的激光光束通过所述光学镜组聚焦于所述加热区内,持续加热所述退火时间后,使所述加热区的温度达到所述加热温度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述加热区为微米量级。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光器为直接半导体激光器或以半导体激光器为泵浦源的固体激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉锐晶激光芯片技术有限公司,未经武汉锐晶激光芯片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910085905.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造