[发明专利]有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用

说明书

提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al‑Ge系合金膜、以及与Al‑Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al‑Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al‑Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al‑Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al‑Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器(尤其是顶部发光(Top Emission)型)中所使用的反射阳极电极、薄膜晶体管基板、有机EL显示器及溅射靶。

背景技术

作为自发光型的平板显示器(flat-panel display)之一的有机EL(有机电致发光；Organic Electro-Luminescence)显示器为在玻璃板等基板上将有机EL元件排列为矩阵状而形成的全固体型平板显示器。有机EL显示器中，阳极(anode)与阴极(cathode)形成为条纹状，且这些交叉的部分相当于像素(有机EL元件)。对所述有机EL元件自外部施加数伏特(V)的电压并流通电流，由此将有机分子推进至激发状态，其返回到本来的基态(稳定状态)时，其多余的能量作为光放出。所述发光色是有机材料固有的。

有机EL元件为自发光型及电流驱动型的元件，但在其驱动方式中有无源型与有源型。无源型其构造简单，但难以实现全彩化。另一方面，有源型可实现大型化，也适于全彩化，但在有源型中需要薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。再者，在所述TFT基板中使用低温多晶Si(p-Si)或非晶Si(a-Si)等的TFT。

所述有源型的有机EL显示器的情况下，多个TFT或布线成为障碍，有机EL像素可使用的面积变小。若驱动电路复杂而TFT增加，则其影响进一步变大。最近，如下方法受到瞩目：并不自玻璃基板取出光，而是设置为自上表面侧取出光的构造(顶部发光)，由此改善开口率。

在顶部发光中，下表面的阳极(anode)使用空穴注入优异的ITO(氧化铟锡；IndiumTin Oxide)。另外，上表面的阴极(cathode)也需要使用透明导电膜，但ITO功函数大而不适于电子注入。进而，ITO是利用溅射法或离子束蒸镀法来成膜，因此存在如下担忧：成膜时的等离子体离子或二次电子对电子传输层(构成有机EL元件的有机材料)造成损害。因此，将薄的Mg层或铜酞菁层形成于电子传输层上，由此避免损害并改善电子注入。

此种有源矩阵型的顶部发光有机EL显示器中所使用的阳极电极兼顾对自有机EL元件放射出的光进行反射的目的，而为ITO或IZO(氧化铟锌；Indium Zinc Oxide)所代表的透明氧化物导电膜与反射膜的层叠构造(反射阳极电极)。所述反射阳极电极中所使用的反射膜多为钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)或银(Ag)等的反射性金属膜。例如，在已经量产的顶部发光方式的有机EL显示器中的反射阳极电极中，采用ITO与Ag合金膜的层叠结构。

若考虑到反射率，则Ag或包含Ag作为主体的Ag基合金因反射率高而有用。再者，Ag基合金存在耐腐蚀性差这一特有课题，但通过利用层叠在其上的ITO膜来被覆所述Ag基合金膜，可解决所述课题。然而，因Ag的材料成本高、而且存在成膜所需要的溅射靶难以大型化这一问题，因此难以将Ag基合金膜针对大型电视机而应用于有源矩阵型的顶部发光有机EL显示器反射膜中。

另一方面，若只考虑到反射率，则Al作为反射膜也良好。例如专利文献1中，作为反射膜而揭示有Al膜或Al-Nd膜，且记载有Al-Nd膜因反射率优秀而理想的主旨。