[发明专利]一种NAND Flash特性模型建立方法

说明书

本发明公开一种NAND Flash特性模型建立方法，通过对测试对象进行PE老化测试，从而建立Wrd与PE老化程度之间的对应关系，该对应关系就是本发明所述的NAND Flash特性模型，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合。通过该模型，可以更好的管理和使用NAND Flash，根据该模型不仅能够作为实际NAND flash使用时，读电压参考选取依据；还能够作为NAND flash内部block寿命达到极限的参考依据。

技术领域

本发明涉及一种NAND Flash特性模型建立方法，属于存储器技术领域。

背景技术

由NAND flash特性决定，NAND flash随着P/E cycle（编程/擦写次数）增加，数据出错位数不断上升，直至达到纠错算法的极限。为了更好的管理和使用NAND Flash，需要建立一种模型描述数据出错位数与P/E cycle的关系。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种NAND Flash特性模型建立方法，建立一种Wrd与PE老化程度之间对应关系的模型，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合，通过该模型，可以更好的管理和使用NAND Flash，根据该模型不仅能够作为实际NANDflash使用时，读电压参考选取依据；还能够作为NAND flash内部block寿命达到极限的参考依据。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种NAND Flash特性模型建立方法，建立Wrd与PE老化程度之间的对应关系，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合，本方法包括以下步骤：S01）、选取测试对象，设定阈值P、读电压参数个数N、读电压参数调节步长Vs，初始化P/E cycle 计数值 Cnt为0，初始化当前调节读电压参数的参数号n为1；S02）、对测试对象进行P/E 老化，记录P/E老化程度，即P/E cycle数；S03）、将读电压参数n的初始值Vi设置为可调范围内的最小值；S04）、使用Vi读取测试对象内的数据；S05）、将读出的数据与原始数据做对比，记录数据错误个数，如果该值小于或者等于P，则记录当前参数值Vi，否则舍弃不记录；S06）、Vi=Vi+Vs，判断Vi是否小于最大可调范围值，如果是，则跳转到步骤S04，否则n累加1，判断n是否大于参数总个数N，没有则跳转到步骤S03，否则执行步骤S07；S07）、输出当前P/E老化状态下，每个读电压参数记录的Vi，每个参数的Wrd即为相对应的所有Vi的集合；S08）、判断Wrd是否为空，如果为空则结束建模，否则跳转到步骤S02，测试另一P/E老化程度下的Wrd。

进一步的，对测试对象进行P/E老化的过程为：擦除选中的测试对象，依次向测试对象的每一个字线中加入加扰数据，直至写满测试对象，每写一次，P/E cycle 计数值 Cnt加1，判断Cnt模Cs值是否为0，即P/E cycle 计数值是否是P/E cycle 步长Cs的整数倍，如果是，则进入步骤S03，否则返回步骤S02。

进一步的，选择1个块中的某个字线为测试对象。

进一步的，阈值P根据纠错算法的纠错能力设定。

本发明的有益效果：本发明建立的模型能够描述Wrd与PE老化程度之间的对应关系，Wrd指某个读电压参数下对应的所有读电压的集合，通过该模型，可以更好的管理和使用NAND Flash，根据该模型不仅能够作为实际NAND flash使用时读电压参考选取依据；还能够作为NAND flash内部block寿命达到极限的参考依据。与建立最佳读电压与P/E cycle之间的关系模型相比，本发明更能提高模型准确率。实际NAND flash情景使用时，肯定会与测试建立的模型产生差异。本发明提供的是一个范围内的最佳读电压选择，更易提高数据读出准确性。降低读延迟。

附图说明

图1为最佳读窗口的示意图；

图2为本发明的流程图。

具体实施方式