[发明专利]一种晶圆热处理方法和晶圆有效
| 申请号： | 201910072442.X | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109830437B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 郭恺辰;文英熙;柳清超;张婉婉 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 方法 | ||
1.一种晶圆热处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，将晶圆置于惰性气氛中进行预保温处理；
步骤S2，将预保温处理后的晶圆以第一升温速率升温至第一温度；
步骤S3，再将晶圆置于第一氧化性气氛中，以第二升温速率从所述第一温度升温至第二温度，所述第二升温速率小于所述第一升温速率；
步骤S4，将晶圆置于第二氧化性气氛中，以第三升温速率从所述第二温度升温至第三温度，所述第二升温速率小于所述第三升温速率；
步骤S5，将晶圆置于惰性气氛中在所述第三温度下进行一次保温；
步骤S6，所述一次保温结束后以不同的降温速率从所述第三温度降温至第四温度进行二次保温。
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理方法，其特征在于，所述第一升温速率大于所述第三升温速率。
3.根据权利要求1所述的晶圆热处理方法，其特征在于，在步骤S3中，所述第一氧化性气氛为氧气；在步骤S4中，所述第二氧化性气氛包括氧气和氮气。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理方法，其特征在于，在步骤S6中，所述一次保温结束后以第一降温速率从所述第三温度降温至第五温度，再以第二降温速率从所述第五温度降温至所述第四温度。
5.根据权利要求4所述的晶圆热处理方法，其特征在于，所述第一温度大于所述第五温度。
6.根据权利要求4所述的晶圆热处理方法，其特征在于，所述第一降温速率大于所述第二降温速率。
7.根据权利要求4所述的晶圆热处理方法，其特征在于，所述第一降温速率为8-12℃/min，所述第五温度为650-750℃；
所述第二降温速率为1-5℃/min，所述第四温度为350-450℃。
8.根据权利要求1所述的晶圆热处理方法，其特征在于，所述第四温度小于所述预保温处理的温度。
9.根据权利要求1所述的晶圆热处理方法，其特征在于，在步骤S1中，预保温处理的温度为450-550℃，预保温处理的时间为20-40min；
在步骤S2中，所述第一升温速率为8-12℃/min，所述第一温度为750-850℃；
在步骤S3中，所述第二升温速率为1-3℃/min，所述第二温度为950-1050℃；
在步骤S4中，所述第三升温速率为4-6℃/min，所述第三温度为1150-1250℃；
在步骤S5中，所述一次保温的保温时间为30-60min。
10.一种晶圆，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的晶圆热处理方法处理得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910072442.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制作方法、电子装置
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
