[发明专利]一种内置监测出射激光功率的激光模组及其监测方法在审
申请号: | 201910063251.7 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN109672082A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 张阳;黄骏;周晓军;李骊;王行;盛赞;李朔;杨淼 | 申请(专利权)人: | 南京华捷艾米软件科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/026 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 210012 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 激光二极管 激光模组 出射 透镜 监测 激光功率 盖板 基板 内置 反射 衍射光学元件 出射光线 独立封装 模组内部 潜在危险 上端 侧壁 管芯 封装 激光 采集 反馈 | ||
一种内置监测出射激光功率的激光模组及其监测方法,所述激光模组包括基板,在所述基板上具有分别独立封装的两个不同管芯内的激光二极管和光电二极管,在激光二极管的上端具有或者封装有衍射光学元件,激光二极管和光电二极管的周围具有侧壁,上方具有盖板透镜进行封装,反射介质位于盖板透镜面向光电二极管的一侧。本发明使得通过DOE的出射光线能够反射到模组内部,进而被光电二极管PD采集并反馈到系统,从而使系统可以根据出射激光强度做出相应动作,消除了对人体的潜在危险。
技术领域
本发明涉及激光模组领域,具体的,涉及一种内置有监测装置,能够对激光出射功率进行监测的激光模组,及其监测调整方法。
背景技术
激光从激光模组发出后,经过衍射光学元件(DOE)产生特定形状的光斑,继而发射出的投影光线的集合就称为结构光。结构光深度测量需要激光光源,激光产品的功率决定了激光对人体是否造成伤害,普通激光安全监测包括是在激光模组内部加入PD(光电二极管)进行监测,或者是通过距离传感器测量是否有人接近激光发射器,进而控制激光功率。
上述第一种方法中,通常激光二极管LD和光电二极管PD是复合在同一个管芯中,管芯的外侧封装有DOE,LD发射激光,PD接收激光,通过相关电路对PD状态进行监测,可以得知LD的工作状态是否正常,如是否打开、功率是否过低或者过高等。但是同一管芯中的PD无法得知当激光从管芯出射后,特别是通过DOE以后的出射光线状态,即经过衍射光学元件之后投射到物体表面即背景的光线状态,如果衍射光学元件出现缺失、损坏,会造成出射光功率过强,存在对人体造成伤害的潜在危险。
上述第二种方法中,仅仅从人与激光模组的距离判断危险程度,无法感知准直透镜和DOE(衍射光学元件)是否丢失。
综上,激光模组发出的激光经过准直透镜和DOE(衍射光学元件)之后会功率衰减和平均化,进而满足安全范围。但如果准直透镜和DOE出现损坏或丢失现象,上述两种监测方法都无法做出应对,存在安全隐患。
因此,如何对于激光出射功率进行监测,特别是激光通过DOE以后的出射功率进行监测,防止当DOE丢失以后激光功率过高,从而导致对人员的伤害成为现有技术亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种内置监测出射激光功率的激光模组及其监测方法,能够对于激光出射功率进行监测,特别是激光通过DOE以后的出射功率进行监测,提高了激光功率监测的适用性和及时性。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种内置监测出射激光功率的激光模组,其特征在于:
包括基板,在所述基板上具有分别独立封装的激光二极管和光电二极管,在所述激光二极管的上端具有或者封装有衍射光学元件,在衍射光学元件的出射光路上具有反射介质,从而将经由衍射光学元件出射的激光反射回光电二极管进行测量。
可选的,所述在所述基板上具有分别独立封装的激光二极管和光电二极管指的是所述激光二极管和光电二极管分别封装在两个不同的管芯中。
可选的,所述衍射光学元件封装在所述激光二极管所在管芯的上端。
可选的,所述基板可以为PCB板或者FPC板。
可选的,所述反射介质位于光电二极管的上方,或者位于激光二极管LD上方出射孔的周围。
可选的,所述激光二极管和光电二极管的周围具有侧壁,上方具有盖板透镜(Cover Lens)进行封装,所述反射介质位于盖板透镜面向光电二极管的一侧。
可选的,所述盖板透镜为高透光率的材质,所述反射介质为镀在盖板透镜内侧的高反膜或者反射油墨。
可选的,所述盖板透镜在和所述侧壁的交界处具有黑色油墨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华捷艾米软件科技有限公司,未经南京华捷艾米软件科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910063251.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体发光元件及半导体发光装置
- 下一篇:分布式回馈激光结构与制作方法