[发明专利]光掩模的制造方法、检查方法和检查装置

说明书

提供光掩模的制造方法、检查方法和检查装置，能够提高形成在被转印体上的图案的坐标精度。光掩模的制造方法具有以下工序：准备图案设计数据(A)；获得表示由于将光掩模保持到曝光装置而引起的主表面的变形量、且是除了自重挠曲成分以外的变形量的转印面修正数据(D)；获得表示在将光掩模坯体载置到了描绘装置的工作台上的状态下的、主表面的高度分布的描绘时高度分布数据(E)；通过描绘时高度分布数据(E)与转印面修正数据(D)的差分获得描绘差分数据(F)；计算与描绘差分数据(F)对应的坐标偏差量，求出描绘用坐标偏差量数据(G)；以及采用描绘用坐标偏差量数据(G)和图案设计数据(A)，在光掩模坯体进行描绘的描绘工序。

本申请是申请日为2014年8月20日、申请号为201410411893.9、发明名称为“光掩模的制造方法、检查方法和检查装置、以及描绘装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于半导体装置和显示装置(LCD、有机EL等)的制造的光掩模，并涉及其制造方法和装置、检查方法和装置。

背景技术

期望提高形成在光掩模上的转印用图案的精度，进而提高所形成的转印图案的检查精度。

在专利文献1(日本特开2010-134433号公报)中记载了能够在将光掩模图案转印到被转印体上时，提高其坐标精度的描绘方法、描绘装置。特别是，在光掩模制造工序中，由于描绘转印用图案时的膜面(图案形成面)的形状与曝光时不同，而无法在被转印体上形成按照设计的图案，为了消除该问题，记载了获得校正后的描绘数据的方法。

【专利文献1】日本特开2010-134433号公报

在显示装置的制造中，大多使用具有基于想要获得的器件设计的转印用图案的光掩模。作为器件，在以智能手机和平板终端为代表的、液晶显示装置和有机EL显示装置中，要求明亮节电、动作速度快，且要求分辨率高的优美图像。因此，针对被用于上述用途的光掩模，对于发明人而言明显存在新的技术课题。

为了清晰地表现细微的图像，需要提高像素密度，目前，想要实现像素密度为400ppi(pixel per inch：每英寸像素)或者在此以上的器件。因此，光掩模的转印用图案的设计处于细微化、高密度化的方向。另外，通过形成有细微图案的多个层(Layer)的层叠来立体地形成包含显示用器件的多个电子器件。因此，这多个层中的坐标精度的提高、以及相互的坐标匹配变得十分重要。即，如果各个层的图案坐标精度未全部满足规定等级，则会引起在所完成的器件中未产生恰当动作的不良情况。因此，各层所要求的坐标偏差的允许范围处于日益减小的方向。

另外，根据专利文献1，记载了以下技术：计算光掩模坯体的描绘工序中的膜面形状与曝光时的膜面形状之间的形状变化量，并根据计算出的形状变化量，对用于描绘的设计描绘数据进行校正。在该文献中记载有以下方法：在描绘转印用图案的阶段，区分基板的膜面(在透明基板中指成膜一侧的面、在光掩模坯体中指形成有膜的面、在光掩模中指形成有图案的面。)相对于理想平面的变形要因中的、在曝光时仍残留的要因和在曝光时消失的要因，获得校正后的描绘数据。

通过描绘装置在带光抗蚀剂的光掩模坯体上描绘图案时，光掩模坯体以使膜面朝上的状态被载置在描绘装置的工作台上。此时，对于光掩模坯体的膜面的表面形状相对于理想平面的变形要因，认为存在以下要因：

(1)工作台的不充分的平坦性，

(2)工作台上的异物夹入引起的基板挠曲，

(3)光掩模坯体膜面的凹凸，

(4)由于光掩模坯体背面的凹凸引起的膜面变形。

因此，累积上述4个要因而形成了该状态下的光掩模坯体的表面形状。然后，对该状态的光掩模坯体进行描绘。